CY7C1314KV18-250BZI

5 760,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

CY7C1314KV18-250BZI от Infineon

Общее описание

CY7C1314KV18-250BZI — это интегральная схема памяти типа SRAM с синхронным интерфейсом и поддержкой технологии QDR II (Quad Data Rate II). Данный компонент обладает объемом 18 Мбит, и используется в высокоскоростных цифровых системах. Он предназначен для применения в системах, требующих высокой пропускной способности и скорости доступа к данным.

Основные преимущества

  • Высокая производительность: Тактовая частота до 250 МГц позволяет использовать этот компонент в приложениях, требующих высокой скорости передачи данных.
  • Улучшенная архитектура памяти: Технология QDR II способствует увеличению скорости передачи данных за счет одновременной обработки чтения и записи.
  • Широкий диапазон рабочих температур: Компонент работает при температурах от -40°C до +85°C, что делает его подходящим для использования в различных условиях окружающей среды.

Недостатки

  • Высокое энергопотребление: Из-за высокого уровня производительности компонент может потреблять больше энергии по сравнению с менее мощными аналогами.
  • Стоимость: Более высокая стоимость по сравнению с памятью типа DRAM или менее производительными SRAM.

Типовое использование

  • Сетевые устройства и маршрутизаторы: Быстрое и надежное хранение оперативных данных.
  • Коммуникационные системы: Обработка данных на высоких скоростях.
  • Системы обработки изображений и сигналов: Высокая скорость доступа к оперативным данным.

Рекомендации по применению

  • Проверьте совместимость с системными тактовыми частотами.
  • Внимательно ознакомьтесь с электрическими характеристиками и схемой подключения для надежной работы в вашей системе.
  • Обеспечьте необходимое охлаждение и вентиляцию при использовании в условиях высоких температур.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: SRAM - синхронная, QDR II
  • Объем памяти: 18 Мбит
  • Организация памяти: 512K x 36
  • Интерфейс: Параллельный
  • Частота тактового сигнала: 250 МГц
  • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
  • Рабочая температура: -40°C ~ +85°C
  • Тип монтажа: Поверхностный (Surface Mount)
  • Корпус: 165-FBGA (13x15 мм)

Возможные аналоги

  • CY7C1314KV18-225AXI от Cypress
  • CY7C1314CV18-250BZXI от Cypress
  • QS18-AlphaSRAM от ISSI

Этот компонент отлично подойдет для использования в высокоскоростных и требовательных к производительности системах благодаря своим выдающимся характеристикам и надежности.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК