CY7C1312KV18-250BZXC
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
CY7C1312KV18-250BZXC от Infineon
Общее описание
CY7C1312KV18-250BZXC – это высокопроизводительная синхронная память SRAM с технологией QDR II от Infineon. Модель CY7C1312KV18-250BZXC имеет емкость 18 Мбит и предназначена для применения в системах, где требуется высокая скорость передачи данных. Устройство оснащено параллельным интерфейсом, поддерживающим частоту до 250 МГц.
Преимущества
- Высокая скорость передачи данных: Частота работы до 250 МГц обеспечивает высокую производительность.
- Двухпортовая архитектура QDR II: Улучшает эффективность передачи данных, так как чтение и запись могут выполняться одновременно.
- Компактный корпус: 165-контактный корпус FBGA (13x15 мм) помогает сэкономить место на плате.
Недостатки
- Ограниченный температурный диапазон: Устройство работает в диапазоне температур от 0°C до 70°C, что может быть недостаточно для экстремальных условий.
- Напряжение питания: Требует стабильного напряжения питания в диапазоне от 1.7V до 1.9V.
Типовое использование
- Сетевые устройства и маршрутизаторы: Для обработки больших объемов данных с минимальными задержками.
- Телекоммуникационные системы: Включая базовые станции, где требуется быстрое переключение сигналов.
- Системы хранения данных: Для буферизации и краткосрочного хранения быстропеременны данных.
Рекомендации по применению
- Обеспечивайте стабильное питание в диапазоне 1.7V ~ 1.9V для надежной работы устройства.
- Используйте качественную пайку и монтажные технологии для предотвращения повреждений корпуса FBGA.
- Учитывайте температурные ограничения при проектировании применений для работающих в экстремальных условиях.
Основные технические характеристики
- Тип памяти: SRAM – синхронная, QDR II
- Объем памяти: 18 Мбит (1M x 18)
- Интерфейс: Параллельный
- Частота: До 250 МГц
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C
- Корпус: 165-контактный FBGA (13x15 мм)
Возможные аналоги
- CY7C1314KV18: От Infineon, также основанная на технологии QDR II, но с другой организацией памяти и емкостью.
- IS66WV51216: От ISSI, обеспечивающая схожие функции на более низких частотах, ориентированная на аналогичные применении.
Используйте CY7C1312KV18-250BZXC для высокопроизводительных задач, требующих быстрого и надежного хранения и передачи данных.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.