CY7C1312KV18-250BZC
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
Описание
CY7C1312KV18-250BZC от Infineon
CY7C1312KV18-250BZC - высокопроизводительная синхронная память SRAM емкостью 18 Мбит (1М x 18) от компании Infineon. Данный чип обладает интерфейсом QDR II (Quad Data Rate II), что обеспечивает высокую скорость обмена данными и стабильную работу в интенсивных условиях эксплуатации. Устройство выполнено в корпусе 165-FBGA (13x15).
Преимущества
- Высокая скорость работы: Тактовая частота до 250 МГц обеспечивает быструю передачу данных.
- Надежность: Высокая надежность и стабильность работы за счёт использования синхронной SRAM технологии.
- QDR II интерфейс: Достижение высоких скоростей передачи благодаря инновационному интерфейсу Quad Data Rate II.
- Компактный корпус: Малая площадь монтажа за счет использования корпуса 165-FBGA.
Недостатки
- Температурный диапазон: Ограниченный диапазон рабочих температур (0°C ~ 70°C), что может не подойти для некоторых промышленных и экстремальных условий.
- Энергопотребление: Требует стабильного напряжения питания в пределах 1.7V ~ 1.9V, что требует корректной реализации питания в схеме.
Типовое использование
- Телекоммуникации: Используется в высокоскоростных сетевых устройствах и коммуникационном оборудовании.
- Обработка данных: Применяется в системах, которые требуют высокой производительности при обработке больших объёмов данных.
- Мультимедийные устройства: Подходит для применения в мультимедийных устройствах, где требуется быстрая и надежная память.
Рекомендации по применению
- Обеспечение адекватного охлаждения: Следует предусмотреть адекватное охлаждение или теплоотвод, чтобы избежать перегрева.
- Качество питания: Обратить внимание на качество и стабильность напряжения питания в пределах 1.7V ~ 1.9V.
- Электромагнитная совместимость: Продумать меры по снижению помех и обеспечению электромагнитной совместимости.
Основные технические характеристики
- Тип памяти: Синхронная SRAM, QDR II
- Объем памяти: 18 Мбит (1М x 18)
- Интерфейс: Параллельный QDR II
- Тактовая частота: до 250 МГц
- Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C
- Корпус/Размещение: 165-FBGA (13x15), Surface Mount
Возможные аналоги
- CY7C1314KV18-250BZC: Чип той же серии с разными объёмами памяти и характеристиками.
- IS43R86400D-6BLI: Аналог от ISSI с ближними характеристиками.
При проектировании схем с использованием CY7C1312KV18-250BZC следует внимательно учитывать преимущества и ограничения устройства, а также поддерживать качественные условия эксплуатации для обеспечения стабильности и долговечности работы системы.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.