CY7C1312KV18-250BZC

6 720,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Описание

CY7C1312KV18-250BZC от Infineon

CY7C1312KV18-250BZC - высокопроизводительная синхронная память SRAM емкостью 18 Мбит (1М x 18) от компании Infineon. Данный чип обладает интерфейсом QDR II (Quad Data Rate II), что обеспечивает высокую скорость обмена данными и стабильную работу в интенсивных условиях эксплуатации. Устройство выполнено в корпусе 165-FBGA (13x15).

Преимущества

  • Высокая скорость работы: Тактовая частота до 250 МГц обеспечивает быструю передачу данных.
  • Надежность: Высокая надежность и стабильность работы за счёт использования синхронной SRAM технологии.
  • QDR II интерфейс: Достижение высоких скоростей передачи благодаря инновационному интерфейсу Quad Data Rate II.
  • Компактный корпус: Малая площадь монтажа за счет использования корпуса 165-FBGA.

Недостатки

  • Температурный диапазон: Ограниченный диапазон рабочих температур (0°C ~ 70°C), что может не подойти для некоторых промышленных и экстремальных условий.
  • Энергопотребление: Требует стабильного напряжения питания в пределах 1.7V ~ 1.9V, что требует корректной реализации питания в схеме.

Типовое использование

  • Телекоммуникации: Используется в высокоскоростных сетевых устройствах и коммуникационном оборудовании.
  • Обработка данных: Применяется в системах, которые требуют высокой производительности при обработке больших объёмов данных.
  • Мультимедийные устройства: Подходит для применения в мультимедийных устройствах, где требуется быстрая и надежная память.

Рекомендации по применению

  • Обеспечение адекватного охлаждения: Следует предусмотреть адекватное охлаждение или теплоотвод, чтобы избежать перегрева.
  • Качество питания: Обратить внимание на качество и стабильность напряжения питания в пределах 1.7V ~ 1.9V.
  • Электромагнитная совместимость: Продумать меры по снижению помех и обеспечению электромагнитной совместимости.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: Синхронная SRAM, QDR II
  • Объем памяти: 18 Мбит (1М x 18)
  • Интерфейс: Параллельный QDR II
  • Тактовая частота: до 250 МГц
  • Напряжение питания: 1.7V ~ 1.9V
  • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C
  • Корпус/Размещение: 165-FBGA (13x15), Surface Mount

Возможные аналоги

  • CY7C1314KV18-250BZC: Чип той же серии с разными объёмами памяти и характеристиками.
  • IS43R86400D-6BLI: Аналог от ISSI с ближними характеристиками.

При проектировании схем с использованием CY7C1312KV18-250BZC следует внимательно учитывать преимущества и ограничения устройства, а также поддерживать качественные условия эксплуатации для обеспечения стабильности и долговечности работы системы.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК