CY7C1312CV18-250BZI
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
CY7C1312CV18-250BZI от Infineon
Общее описание
CY7C1312CV18-250BZI — это синхронная память SRAM типа QDR II объемом 18 Мбит, разработанная компанией Infineon. Она предназначена для использования в высокоскоростных системах, обеспечивая оперативную память в режиме еще большего быстродействия при работе на частоте до 250 МГц.
Преимущества
- Высокая скорость: Частота работы до 250 МГц позволяет обеспечить быструю передачу данных.
- Надежность: Конфигурация QDR II уменьшает количество циклов задержек, повышая продуктивность.
- Энергоэффективность: Низкое напряжение питания от 1,7 В до 1,9 В помогает снизить энергопотребление.
Недостатки
- Объем памяти: 18 Мбит может быть недостаточным для некоторых применений, требующих большой емкости.
- Устаревание: Текущие схемы и техпроцессы могут быть более продвинутыми и иметь лучшие характеристики по сравнению с QDR II.
Типовое использование
- Сетевые маршрутизаторы и коммутаторы: Подходит для использования в высокоскоростных сетевых устройствах.
- Обработка сигналов: Идеально подходит для приложений, требующих быстрого доступ к данным, таких как обработка видеосигналов и телекоммуникационные системы.
- Системы хранения данных: Применение в системах, где необходима быстрая оперативная память для временного хранения данных.
Рекомендации по применению
- Проектирование: Убедитесь в правильном подключении и согласовании сигналов при проектировании платы, чтобы избежать ошибок и обеспечить максимальную производительность.
- Симуляции: Используйте симуляционные инструменты для проверки корректности работы и достижения максимальной производительности в конечной системе.
- Термоконтроль: Обеспечьте надлежащие условия охлаждения для эксплуатации в пределах рекомендованных температур.
Основные технические характеристики
- Тип памяти: Вольтативная, синхронная QDR II SRAM
- Объем памяти: 18 Мбит (1М x 18)
- Частота работы: до 250 МГц
- Интерфейс: Параллельный
- Напряжение питания: 1,7 В ~ 1,9 В
- Температурный диапазон: -40°C ~ 85°C (TA)
- Корпус: 165-FBGA (13x15 мм)
- Монтаж: Поверхностный (SMD)
Возможные аналоги
- CY7C1314CV18-250BZI от Infineon: Обеспечивает аналогичные характеристики с различной емкостью.
- R5F211C8DSP#U0 от Renesas: Другой вариант параллельной SRAM с аналогичным объемом и частотой работы.
- IS61LF51218A-250B2LI от ISSI: SRAM с схожими техническими характеристиками и конфигурацией.
Другие характеристики и подробности можно найти в официальной документации производителя.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.