CY7C1312CV18-250BZI

8 640,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

CY7C1312CV18-250BZI от Infineon

Общее описание

CY7C1312CV18-250BZI — это синхронная память SRAM типа QDR II объемом 18 Мбит, разработанная компанией Infineon. Она предназначена для использования в высокоскоростных системах, обеспечивая оперативную память в режиме еще большего быстродействия при работе на частоте до 250 МГц.

Преимущества

  • Высокая скорость: Частота работы до 250 МГц позволяет обеспечить быструю передачу данных.
  • Надежность: Конфигурация QDR II уменьшает количество циклов задержек, повышая продуктивность.
  • Энергоэффективность: Низкое напряжение питания от 1,7 В до 1,9 В помогает снизить энергопотребление.

Недостатки

  • Объем памяти: 18 Мбит может быть недостаточным для некоторых применений, требующих большой емкости.
  • Устаревание: Текущие схемы и техпроцессы могут быть более продвинутыми и иметь лучшие характеристики по сравнению с QDR II.

Типовое использование

  • Сетевые маршрутизаторы и коммутаторы: Подходит для использования в высокоскоростных сетевых устройствах.
  • Обработка сигналов: Идеально подходит для приложений, требующих быстрого доступ к данным, таких как обработка видеосигналов и телекоммуникационные системы.
  • Системы хранения данных: Применение в системах, где необходима быстрая оперативная память для временного хранения данных.

Рекомендации по применению

  • Проектирование: Убедитесь в правильном подключении и согласовании сигналов при проектировании платы, чтобы избежать ошибок и обеспечить максимальную производительность.
  • Симуляции: Используйте симуляционные инструменты для проверки корректности работы и достижения максимальной производительности в конечной системе.
  • Термоконтроль: Обеспечьте надлежащие условия охлаждения для эксплуатации в пределах рекомендованных температур.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: Вольтативная, синхронная QDR II SRAM
  • Объем памяти: 18 Мбит (1М x 18)
  • Частота работы: до 250 МГц
  • Интерфейс: Параллельный
  • Напряжение питания: 1,7 В ~ 1,9 В
  • Температурный диапазон: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Корпус: 165-FBGA (13x15 мм)
  • Монтаж: Поверхностный (SMD)

Возможные аналоги

  • CY7C1314CV18-250BZI от Infineon: Обеспечивает аналогичные характеристики с различной емкостью.
  • R5F211C8DSP#U0 от Renesas: Другой вариант параллельной SRAM с аналогичным объемом и частотой работы.
  • IS61LF51218A-250B2LI от ISSI: SRAM с схожими техническими характеристиками и конфигурацией.

Другие характеристики и подробности можно найти в официальной документации производителя.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК