CY7C1268KV18-450BZXC

15 600,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

CY7C1268KV18-450BZXC от Infineon

Общее описание

CY7C1268KV18-450BZXC — это высокопроизводительная 36-мегабитная синхронная SRAM микросхема с интерфейсом DDR II+. Эта микросхема используется для хранения и быстрого доступа к данным, что необходимо для прикладных задач, требующих высокой скорости передачи данных, таких как сетевые маршрутизаторы, коммутаторы и других устройств.

Преимущества

  • Высокая частота работы: До 450 МГц, что обеспечивает быстрое чтение и запись данных.
  • Синхронный интерфейс DDR II+: Позволяет передавать данные на каждую тактовую частоту, что удваивает скорость передачи данных.
  • Низкое энергопотребление: Оптимизированное энергопотребление при высоких частотах.

Недостатки

  • Устаревший продукт: Статус "Обsolete" означает, что продукт может быть снят с производства или уже снят, и его доступность может быть ограничена.
  • Высокие требования к монтажу: Требуются специальные навыки пайки и оборудования для работы с корпусом 165-FBGA.

Типовое использование

  • Сетевые маршрутизаторы и коммутаторы: Для быстрого доступа к таблицам маршрутизации и управления пакетами данных.
  • Системы обработки видео: Для временного хранения больших объемов данных при обработке видео в реальном времени.
  • Высокопроизводительные вычислительные системы: В качестве кэш-памяти для ускорения доступа к frequently-used данным.

Рекомендации по применению

  • Выбор питания: Следует внимательно соблюдать рекомендуемый диапазон напряжений питания 1.7В ~ 1.9В, чтобы избежать повреждения компонента.
  • Тепловой менеджмент: Обеспечьте соответствующий теплоотвод, поскольку при работе на высоких частотах компонент может выделять значительное количество тепла.
  • Использование в новых проектах: Из-за статуса "Obsolete" рекомендуется рассматривать аналогичные современные продукты для новых проектов.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: Волатильная (SRAM, синхронная, DDR II+)
  • Объем памяти: 36 Мбит
  • Организация памяти: 2M x 18
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Частота тактового генератора: 450 МГц
  • Напряжение питания: 1.7В ~ 1.9В
  • Рабочая температура: 0°C ~ 70°C
  • Тип монтажа: Поверхностный монтаж
  • Корпус: 165-FBGA (13x15 мм)

Возможные аналоги

  • CY7C1361C-166AXI от Cypress Semiconductor
  • IS61NLP25618A-250BLI от ISSI
  • MT45W2MW16PGA-70 от Micron Technology

Эти аналоги могут быть рассмотрены для замены в случае трудности с приобретением оригинального компонента.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК