CY7C12681KV18-400BZXC

Общее описание

CY7C12681KV18-400BZXC — это синхронная статическая оперативная память (SRAM) второго поколения DDR II+ от компании Infineon Technologies. Обладает объемом 36 мегабит и предназначена для использования в высокопроизводительных приложениях, требующих высокой скорости передачи данных и низкой задержки.

Преимущества

• Высокая скорость работы: Синхронный режим передачи данных позволяет осуществлять операции с частотой до 400 МГц.
• Низкие задержки: Высокая пропускная способность и низкие латентности делают этот модуль подходящим для задач, требующих быстрой обработки данных.
• Надежность: Высокое качество исполнения и строгий контроль производительности делают этот модуль надежным выбором для критически важных приложений.

Недостатки

• Высокая стоимость: Сравнительно высокая цена по сравнению с традиционными модулями памяти.
• Сложность в реализации: Требует грамотного подхода к проектированию схем для достижения максимальной производительности.

Типовое использование

• Телекоммуникационное оборудование
• Серверы и дата-центры
• Высокоскоростные вычисления
• Сетевые интерфейсы и маршрутизаторы
• Встроенные системы и промышленные контроллеры

Рекомендации по применению

• Рекомендуется использовать этот модуль в приложениях, где критична высокая скорость передачи данных и минимальные латентности.
• Необходимы подходящие схемы управления для оптимального использования всех возможностей модуля.
• Уделять внимание выбору питающего напряжения и поддерживать его в пределах спецификаций для стабильной работы устройства.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: Вольатильная
• Формат памяти: SRAM - синхронная, DDR II+
• Объем памяти: 36 Мбит
• Организация памяти: 2M x 18
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Частота клока: 400 МГц
• Напряжение питания: 1.7В ~ 1.9В
• Диапазон рабочих температур: 0°C ~ 70°C
• Монтаж: Поверхностный монтаж (SMT)
• Корпус: 165-FBGA (13x15)

Возможные аналоги

• CY7C12682KV18-400BZXC: Обладает схожими характеристиками, но имеет иную организацию памяти.
• IS61WV20488BLL-10BLI от ISSI: 4M x 8 бит SRAM, но с более низкой частотой и меньшими объемами памяти.

Заключение

CY7C12681KV18-400BZXC от Infineon Technologies — это мощный и надежный модуль памяти, который идеально подходит для высокопроизводительных приложений. Правильное применение и грамотное проектирование схемы позволят использовать все возможности модуля и обеспечить его долгосрочную и стабильную работу.