CY7C1265XV18-600BZXC

Микросхема памяти CY7C1265XV18-600BZXC от Infineon

CY7C1265XV18-600BZXC — это микросхема статической оперативной памяти (SRAM) от Infineon Technologies, предназначенная для высокопроизводительных вычислительных устройств и систем. Данный компонент представляет собой синхронную SRAM с двойным портом доступа (QDR II) и широкой задержкой (Late Write).

Общее описание

CY7C1265XV18-600BZXC представляет собой SRAM объемом 36 Мбит, что позволяет использовать её в системах, требующих быстрой и надежной памяти. Чип имеет параллельный интерфейс и может работать на тактовой частоте до 600 МГц.

Преимущества

• Высокая скорость работы: Тактовая частота до 600 МГц обеспечивает высокую пропускную способность и быструю реакцию на запросы.
• Надежность: Синхронный интерфейс и низкое энергопотребление (от 1.7 до 1.9 В) добавляют стабильности и эффективности в работе.
• Многофункциональность: Поддерживает организацию памяти 1M x 36, что позволяет гибко использовать память в различных приложениях.

Недостатки

• Устаревший статус: Данная модель помечена как устаревшая (Obsolete), что может затруднить её приобретение и поддержку в будущем.
• Температурные ограничения: Рабочий диапазон температур от 0°C до 70°C ограничивает использование в экстремальных условиях.

Типовое использование

• Высокопроизводительные вычислительные системы: Используется в серверах, сетевых коммутаторах и маршрутизаторах.
• Цифровые обработки сигналов: Идеальна для систем, требующих быстрой и надежной обработки данных.
• Телекоммуникационные системы: Применяется в базовых станциях и других телекоммуникационных устройствах.

Рекомендации по применению

• Перед использованием убедитесь в совместимости с требуемым интерфейсом.
• Организуйте правильное охлаждение, особенно в системах с высокой плотностью компоновки.
• Поддерживайте стабильное напряжение питания в диапазоне от 1.7 до 1.9 В.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: Временная
• Формат памяти: SRAM
• Технология: Синхронная SRAM, QDR II
• Объем памяти: 36 Мбит
• Организация памяти: 1M x 36
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Тактовая частота: до 600 МГц
• Напряжение питания: 1.7В ~ 1.9В
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C
• Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMD)
• Корпус: 165-FBGA (13x15)

Возможные аналоги

• CY7C1264XV18-600BZXC: SRAM того же семейства с меньшим объемом памяти.
• CY7C1267XV18-600BZXC: Более производительная версия с похожими характеристиками.

Применяя микросхему CY7C1265XV18-600BZXC, можно существенно улучшить производительность и скорость работы устройств, требующих быстрой памяти.