CY7C1263KV18-400BZXI

11 760,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

CY7C1263KV18-400BZXI от Infineon

Общее описание

CY7C1263KV18-400BZXI — это синхронная память SRAM типа QDR II+ от компании Infineon Technologies. Данный чип предоставляет 36 Мбит памяти и предназначен для высокопроизводительных приложений, требующих высокого уровня пропускной способности и низкой задержки.

Преимущества

  • Высокая скорость: тактовая частота до 400 МГц позволяет обрабатывать данные с высокой скоростью.
  • Низкая задержка: оперативность доступа к данным улучшает общую производительность системы.
  • Большая емкость: 36 Мбит обеспечивают хранение значительного объема данных.
  • Температурный диапазон: Возможность работы при температурах от -40°C до +85°C делает компонент универсальным для различных условий эксплуатации.

Недостатки

  • Высокая сложность реализации: требует тщательного проектирования и может быть сложен для использования в простых проектах.
  • Потребление мощности: относительно высокое потребление энергии может быть критичным для автономных систем.

Типовое использование

  • Сетевое оборудование: маршрутизаторы, коммутаторы и другие устройства, требующие высокой пропускной способности.
  • Телекоммуникации: системы, требующие быстрой и надежной передачи данных.
  • Системы хранения данных: серверы и сетевые хранилища (NAS).
  • Встроенные системы: высокопроизводительные контроллеры и обработчики данных.

Рекомендации по применению

  • Используйте подходящие стабилизаторы напряжения для обеспечения надежной работы чипа в диапазоне 1.7В до 1.9В.
  • Убедитесь, что ваша печатная плата спроектирована с учетом требований к электромагнитной совместимости и минимизации шума.
  • Рассмотрите возможность использования подходящих охладительных решений для поддержания оптимальной рабочей температуры.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: SRAM - синхронная, QDR II+
  • Объем памяти: 36 Мбит
  • Организация памяти: 2M x 18
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Тактовая частота: до 400 МГц
  • Напряжение питания: 1.7В ~ 1.9В
  • Температурный диапазон: -40°C ~ +85°C (TA)
  • Корпус: 165-FBGA (13x15)

Возможные аналоги

  • CY7C1263KV18-400BZC: отличается температурным диапазоном работы.
  • IS61QDR25636B-400B3LI от ISSI: аналогичный чип с поддержкой QDR II+.
  • AS5Q4D36J-200DITR от Micross: еще один вариант SRAM QDR II+ памяти.

Подробная информация о применении и технические данные доступны на сайте производителя.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК