CY7C12631KV18-400BZI

18 240,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Описание для CY7C12631KV18-400BZI от Infineon

Общее описание

CY7C12631KV18-400BZI — это микросхема синхронной статической оперативной памяти (SRAM) с технологией QDR II+ от компании Infineon Technologies. Она имеет объём памяти 36 Мбит и организована как 2М x 18 бит. Работает на частоте до 400 МГц и предназначена для использования в высокопроизводительных вычислительных системах.

Преимущества

  • Высокая скорость: Чип поддерживает тактовую частоту до 400 МГц, что обеспечивает быстрый доступ к данным.
  • Технология QDR II+: Увеличивает пропускную способность и снижает задержки.
  • Надежность: Качественная конструкция и использование проверенной технологии делают этот компонент идеальным для критически важных приложений.

Недостатки

  • Устаревший статус: Этот компонент считается устаревшим (Obsolete), что может затруднить его приобретение и поддержку в будущем.
  • Вольтаж питания: Требуется питание в диапазоне 1.7В - 1.9В, что может ограничивать совместимость с другими компонентами систем, которые работают при других напряжениях.

Типовое использование

  • Серверы и дата-центры: Высокая пропускная способность и низкие задержки делают эту микросхему идеальной для использования в серверных системах.
  • Телекоммуникационное оборудование: Прекрасно подходит для систем, требующих быстрого обмена данными.
  • Системы обработки сигналов: Может использоваться в приложениях, где необходима высокая скорость обработки данных.

Рекомендации по применению

  • Повышение производительности: Использование данной микросхемы в системах, где требуется высокая скорость доступа к памяти, повысит общую производительность системы.
  • Контроль температуры: Обратите внимание на диапазон рабочих температур (-40°C ~ 85°C) для обеспечения надежной работы.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: SRAM - синхронная, QDR II+
  • Объём памяти: 36Мбит
  • Организация памяти: 2M x 18 бит
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Тактовая частота: до 400 МГц
  • Напряжение питания: 1.7В ~ 1.9В
  • Диапазон рабочих температур: -40°C ~ 85°C
  • Корпус/Тип монтажа: 165-FBGA (13x15 мм), поверхностный монтаж

Возможные аналоги

  • Качество и скорость: Аналоги с похожими характеристиками могут быть найдены у других производителей, таких как Cypress Semiconductor или Micron Technology, но важно учитывать специфику вашего проекта.
  • Совместимость: При рассмотрении аналогов обязательно соотнесите их электрические и физические параметры с теми, которые требует ваш проект.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК