CY7C1170KV18-400BZC

CY7C1170KV18-400BZC от Infineon

Общее описание: CY7C1170KV18-400BZC – это усовершенствованная микросхема памяти SRAM (Static Random-Access Memory) с емкостью 18 Мбит, выполненная по технологии DDR II+ (Double Data Rate). Эта микросхема используется для высокоскоростного хранения данных и обладает высокой надежностью. Устройство упаковано в корпус 165-FBGA размером 13x15 мм.

Преимущества:

• Высокая скорость работы: частота до 400 МГц.
• Улучшенные характеристики чтения и записи благодаря технологии DDR II+.
• Низкое энергопотребление при напряжении питания от 1.7 В до 1.9 В.
• Высокая плотность и упаковка в компактный корпус.

Недостатки:

• Ограниченный рабочий температурный диапазон (0°C ~ 70°C).
• Требуется сложное управление сигналами для достижения максимальной производительности.

Типовое использование:

• Цифровые сигнальные процессоры (DSP).
• Высокопроизводительные вычислительные системы.
• Сетевые и коммуникационные устройства.
• Системы хранения данных и серверы.

Рекомендации по применению:

• Использовать в схемах, требующих высокого быстродействия и надежности.
• Разработать систему охлаждения для обеспечения стабильной работы в требуемом температурном диапазоне.
• Тщательно проектировать цепи питания для поддержания стабильного напряжения в допустимом диапазоне.

Основные технические характеристики:

• Тип памяти: Volatile
• Формат памяти: SRAM
• Технология: SRAM - Synchronous, DDR II+
• Емкость памяти: 18 Мбит (512K x 36)
• Интерфейс памяти: Parallel
• Частота тактового сигнала: до 400 МГц
• Напряжение питания: 1.7 В ~ 1.9 В
• Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
• Корпус: 165-FBGA (13x15 мм)

Возможные аналоги:

• Cypress CY7C1169KV18-400BZC
• Micron MT49H32M18

Этот компонент идеально подойдет для приложений, где требуется высокая производительность при относительно низких требованиях к энергопотреблению.