CY7C11651KV18-400BZC

9 600,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

Описание компонента: CY7C11651KV18-400BZC от Infineon

Общее описание

CY7C11651KV18-400BZC - это высокоскоростная статическая оперативная память (SRAM) объемом 18 Мбит от компании Infineon Technologies. Данная память оснащена интерфейсом QDR II+ (Quad Data Rate), обеспечивающим чрезвычайно высокую производительность для задач, требующих обработки больших объемов данных в реальном времени.

Преимущества

  • Высокая скорость работы: Тактовая частота до 400 МГц обеспечивает быстрый доступ к данным.
  • Низкое энергопотребление: Рабочее напряжение 1.7В ~ 1.9В снижает затраты на электрическую энергию.
  • Повышенная емкость: 18 Мбит памяти обеспечивает хранение большого объема данных.
  • Надежность: Высококачественные материалы и технологии изготовления от Infineon гарантируют длительный срок службы и стабильную работу устройства.

Недостатки

  • На рынке представлено ограниченное количество аналогов: Могут возникнуть трудности с заменой при выходе компонента из строя.
  • Устаревшая модель: На момент написания этого описания модель находится в статусе "снятая с производства", что усложняет ее использование в новых разработках.

Типовое использование

  • Высокопроизводительные серверы и сетевые устройства
  • Обработка графики и видеоданных
  • Авионика и системы автоматического вождения
  • Индустриальные контроллеры и системы управления
  • Телекоммуникационные оборудование и системы базовых станций

Рекомендации по применению

  • Учитывайте термический режим работы и предусмотрите адекватное охлаждение при интеграции в систему.
  • Используйте правильные схемы подключения для обеспечения стабильной работы на высоких частотах.
  • По возможности планируйте использование аналогов или других решений для новых разработок, учитывая статус "снята с производства".

Основные технические характеристики

  • Объем памяти: 18 Мбит
  • Организация памяти: 512К x 36 бит
  • Тактовая частота: до 400 МГц
  • Интерфейс памяти: QDR II+ (Parallel)
  • Напряжение питания: 1.7В ~ 1.9В
  • Технология: Synchronous SRAM
  • Температурный диапазон: от 0°C до +70°C
  • Корпус: 165-FBGA (13x15 мм)
  • Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMT)

Возможные аналоги

  • Micron Technology: MT54V512K36
  • Samsung: K7R323685M
  • Cypress: CY7C1463KV33

Используйте вышеуказанную информацию для оптимального выбора и интеграции компонента CY7C11651KV18-400BZC в ваши проекты и схемы.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК