CY7C1150KV18-400BZXC

CY7C1150KV18-400BZXC от Infineon

Общее описание

Микросхема CY7C1150KV18-400BZXC от Infineon представляет собой синхронную память типа SRAM с типом синхронизации DDR II+. Этот компонент имеет объем памяти 18 Мбит и поддерживает тактовую частоту до 400 МГц. Основное назначение данной микросхемы — высокоскоростные приложения, требующие больших объемов оперативной памяти.

Преимущества

• Высокая пропускная способность: Максимальная частота 400 МГц обеспечивает быстрый доступ к данным.
• Низкое энергопотребление: Питание 1.7В ~ 1.9В снижает энергопотребление, что важно для энергоэффективных систем.
• Консистентность данных: Двойное управление данными (DDR) увеличивает общую производительность памяти.

Недостатки

• Высокая стоимость: Относительно высокая цена по сравнению с другими типами памяти.
• Ограниченная температура эксплуатации: Рабочий температурный диапазон от 0°C до 70°C может быть недостаточен для некоторых промышленных применений.

Типовое использование

• Высокопроизводительные вычислительные системы: Использование в серверах и рабочих станциях.
• Сетевое оборудование: Подходит для маршрутизаторов и сетевых коммутаторов.
• Обработка видео и изображений: Применяется в системах с высокой степенью обработки графических данных.

Рекомендации по применению

• Убедитесь в адекватном охлаждении для поддержания температуры в пределах спецификаций.
• Предусмотрите защиту от электромагнитных помех, чтобы избежать повреждений данных.
• Используйте качественные компоненты для обеспечения стабильного напряжения питания.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: SRAM - синхронная, DDR II+
• Объем памяти: 18 Мбит (512К x 36)
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Частота тактового сигнала: до 400 МГц
• Напряжение питания: 1.7В ~ 1.9В
• Температурный диапазон эксплуатации: 0°C ~ 70°C
• Тип корпуса: 165-FBGA (13x15)
• Монтаж: Поверхностный монтаж (Surface Mount)

Возможные аналоги

• CY7C1161KV18-400BZXC: Аналогичный объем памяти, но отличается организацией ячеек.
• IS61WV5128BLL-10TLI от ISSI: Альтернативная SRAM память, но с другими параметрами синхронизации и напряжения.

CY7C1150KV18-400BZXC от Infineon - это отличное решение для высокоскоростных приложений, требующих надежности и низкого энергопотребления.