CY7C1069G30-10ZSXI

12 480,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Общее описание

CY7C1069G30-10ZSXI — это статическая оперативная память (SRAM) с объемом 16 Мбит, организованная по схеме 2M x 8 и работающая асинхронно. Этот компонент предназначен для хранения данных, которые требуют быстрого доступа.

Преимущества

  • Высокая скорость: Время выборки данных составляет всего 10 нс, что обеспечивает быстрый доступ к информации.
  • Широкий диапазон напряжений питания: Рабочее напряжение от 2.2V до 3.6V позволяет использовать компонент в различных приложениях.
  • Температурный диапазон: Устройство функционирует в диапазоне температур от -40°C до +85°C, что делает его подходящим для промышленного применения.
  • Поверхностный монтаж: Корпус типа 54-TSOP II облегчает интеграцию в современные печатные платы.

Недостатки

  • Энергопотребление: Как и большинство SRAM, данный компонент потребляет больше энергии по сравнению с другими типами памяти, такими как DRAM или EEPROM.
  • Объем памяти: Ограничен объемом 16 Мбит, что может быть недостаточно для некоторых масштабных задач.

Типовое использование

  • Буферизация данных: Использование в устройствах, требующих быстрой буферизации и с минимальными задержками.
  • Программируемая логика: Вспомогательная память для FPGA и ПКМ.
  • Автомобильная электроника: Применение в системах управления, требующих высокой производительности и надежности.

Рекомендации по применению

  • Использовать компоненты снижения помех и защиты от электромагнитных излучений, таких как конденсаторы низкой емкости и экранирование.
  • Следовать рекомендациям производителя по схемотехнике для гарантированной совместимости и надежной работы.
  • Обеспечить надежное подсоединение контактов при пайке поверхностного монтажа для стабильной передачи данных.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: SRAM - асинхронная
  • Объем памяти: 16 Мбит (2M x 8)
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Время доступа: 10 нс
  • Напряжение питания: 2.2В ~ 3.6В
  • Диапазон рабочих температур: -40°C ~ 85°C
  • Тип монтажа: Поверхностный (Surface Mount)
  • Корпус: 54-TSOP II (0.400", 10.16 мм ширина)

Возможные аналоги

  • IS61WV20488BLL-10TLI от Integrated Silicon Solution Inc.
  • AS6C8016-55BIN от Alliance Memory, Inc.
  • GS8180V18C-166I от GSI Technology

Для реализации различных задач ваш выбор CY7C1069G30-10ZSXI обеспечит надежность и высокую производительность. Простота интеграции и широкий диапазон рабочих характеристик делают его универсальным решением для множества приложений.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК