CY7C1069G30-10BVXI

9 600,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

CY7C1069G30-10BVXI от Infineon

Общее описание

CY7C1069G30-10BVXI — это асинхронная статическая память (SRAM) емкостью 16 Мбит, которая предоставляет высокоскоростной доступ и надежные характеристики. Этот компонент идеально подходит для использования в требовательных приложениях, где требуется быстрый и надежный доступ к данным.

Преимущества

  • Высокая скорость: Время доступа к данным составляет всего 10 нс, что обеспечивает быструю реакцию системы.
  • Низкое энергопотребление: Подходит для энергоэффективных приложений благодаря возможности работы при пониженном напряжении 2.2V ~ 3.6V.
  • Широкий диапазон температур: Рабочий температурный диапазон от -40°C до 85°C позволяет использовать устройство в различных условиях.

Недостатки

  • Параллельный интерфейс: Параллельный интерфейс может потребовать больше пинов микроконтроллера и сложить проектирование PCB по сравнению с другими интерфейсами, такими как SPI или I2C.
  • Волатильная память: Данные теряются при отключении питания, что требует дополнительных мер для их сохранения.

Типовое использование

  • Буферизация данных: Используется для временного хранения и быстрого доступа к данным в системах обработки сигнала.
  • Кэши процессоров: Применяется в качестве быстрого кэша для хранения часто используемых данных.
  • Видеопамять: Потребляется в графических приложениях для хранения кадров изображения.

Рекомендации по применению

  • Питание: Убедитесь, что источник питания стабилен и подает напряжение в диапазоне от 2.2V до 3.6V.
  • Схема подключения: Используйте подходящие развязки питания (байпасные конденсаторы) для подавления шумов и помех.
  • Температурный режим: Обеспечьте соответствующий температурный режим для надежной работы компонента.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: Волатильная
  • Формат памяти: SRAM - асинхронная
  • Емкость памяти: 16 Мбит (2М x 8 бит)
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Время записи/чтения: 10 нс
  • Напряжение питания: 2.2V ~ 3.6V
  • Рабочая температура: от -40°C до 85°C (TA)
  • Корпус: 48-VFBGA (6x8)

Возможные аналоги

  • CY7C1061G30-10BVXI: SRAM с подобными характеристиками, но меньшей емкостью (8 Мбит).
  • AS6C1616-55BIN: Альтернативное SRAM, емкостью 16 Мбит и временем доступа 55 нс, производитель Alliance Memory.

Используя данное описание, вы сможете более эффективно применять CY7C1069G30-10BVXI в своих проектах и добиться надежной и быстрой работы ваших систем.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК