CY7C1069DV33-10BVXI

Описание

CY7C1069DV33-10BVXI — это высокопроизводительный статический оперативный запоминающийся модуль (SRAM) от компании Infineon Technologies, обладающий емкостью 16 Мбит и параллельным интерфейсом передачи данных. Этот тип памяти предназначен для широкого спектра приложений, требующих быстрого доступа и низкого энергопотребления.

Преимущества

• Высокая скорость доступа (10 нс): обеспечивает быструю передачу и обработку данных.
• Низкое энергопотребление: подходит для энергозависимых приложений.
• Широкий диапазон рабочих температур: от -40°C до 85°C, что делает его надежным в критических условиях.

Недостатки

• Устаревшая технология: модели, обозначенные как устаревшие, могут быть труднодоступными и нерентабельными для новых разработок.

Типовое использование

• Сетевое оборудование: маршрутизаторы, коммутаторы.
• Промышленная автоматика: контрольно-измерительные устройства.
• Мобильные устройства: смартфоны, планшеты.
• Системы встраиваемого управления: микроконтроллеры и FPGA.

Рекомендации по применению

• Использование в критичных по времени приложениях: высокоскоростная память с низкой задержкой.
• Модернизация существующего оборудования: замена старых SRAM модулей.
• Низкоэнергетические устройства: благодаря низкому энергопотреблению.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: SRAM - Асинхронная
• Емкость памяти: 16 Мбит (2 М x 8)
• Интерфейс: Параллельный
• Время доступа: 10 нс
• Время записи: 10 нс
• Напряжение питания: 3 В ~ 3,6 В
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
• Тип монтажа: Поверхностный монтаж
• Корпус / Выводы: 48-VFBGA (8x9.5)

Возможные аналоги

• CY7C1069AV33-10BAXI: аналогичный модуль с улучшенными характеристиками.
• IS61WV102416BLL-10BLI: статический оперативный запоминающийся модуль от ISSI с аналогичными параметрами.