CY7C1062GE30-10BGXI

CY7C1062GE30-10BGXI от Infineon

Общее описание: CY7C1062GE30-10BGXI от Infineon - это асинхронная статическая оперативная память (SRAM) емкостью 16 Мбит. Данный чип предназначен для использования в приложениях, требующих высокой скорости доступа и надежности. Он выполнен в корпусе 119-PBGA, что обеспечивает компактные размеры и удобный монтаж на плату.

Преимущества:

• Высокая скорость доступа, время доступа составляет всего 10 нс.
• Поддержка широкого диапазона рабочих напряжений (2.2V ~ 3.6V), что обеспечивает гибкость в проектировании.
• Широкий диапазон рабочих температур (-40°C ~ 85°C), что делает его подходящим для использования в различных условиях.

Недостатки:

• Относительно высокая стоимость по сравнению с DRAM.
• Больший размер корпуса по сравнению с некоторыми другими типами памяти.

Типовое использование:

• Встраиваемые системы
• Промышленные приложения
• Медицинские устройства
• Телекоммуникации
• Хранение данных и буферизация в высокоскоростных системах

Рекомендации по применению:

• Подойдет для приложений, где требуется высокая скорость доступа к данным.
• Можно использовать в температурных условиях от -40°C до 85°C.
• Требует тщательного проектирования схемы монтажа для обеспечения надежного соединения упаковки 119-PBGA.

Основные технические характеристики:

• Тип памяти: SRAM - Асинхронная
• Объем памяти: 16 Мбит
• Организация памяти: 512К x 32
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Время цикла записи: 10 нс
• Время доступа: 10 нс
• Напряжение питания: 2.2V ~ 3.6V
• Диапазон рабочих температур: -40°C ~ 85°C (TA)
• Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMT)
• Корпус / Нестандартный корпус: 119-BGA
• Пакет поставщика: 119-PBGA (14x22)

Возможные аналоги:

• CY7C10612KV33-10BGXI (Cypress)
• AS7C34098A-10BIN (Alliance Memory)
• IS61WV51216BLL-10TLI (ISSI)

Этот компонент обеспечивает высокую производительность и надежность, необходимые для сложных встраиваемых и промышленных приложений.