CY7C1061GN30-10ZXI

CY7C1061GN30-10ZXI от Infineon

Общее описание: CY7C1061GN30-10ZXI - это асинхронное статическое оперативное запоминающее устройство (SRAM) от Infineon Technologies. Объем памяти составляет 16 мегабит (2 мегабайта), организованное в виде 1M x 16 бит. Этот чип предназначен для хранения данных с высокой скоростью доступа и низким энергопотреблением.

Преимущества:

• Высокая скорость доступа: Время доступа составляет всего 10 наносекунд, что обеспечивает быструю работу с данными.
• Широкий диапазон напряжения питания: Поддержка напряжения от 2.2V до 3.6V.
• Низкое энергопотребление: Этот чип потребляет минимальное количество энергии как в режиме активности, так и в режиме ожидания.
• Широкий температурный диапазон: Поддерживает работу при температуре от -40°C до +85°C.

Недостатки:

• Волатильность: Память является энергозависимой, что означает потерю данных при отключении питания.
• Ограниченный объем памяти: Для некоторых высоконагруженных приложений объем 16 мегабит может быть недостаточным.

Типовое использование:

• Встроенные системы
• Микроконтроллеры и микропроцессоры
• Буферы данных и кэш-память
• Промышленное управление
• Медицинское оборудование

Рекомендации по применению:

• Используйте в приложениях, требующих высокой скорости доступа к данным.
• При проектировании учитывайте диапазон рабочих температур для обеспечения надежности работы устройства.
• Избегайте использования в критически важных приложениях, где требуется сохранение данных при отключении питания.

Основные технические характеристики:

• Тип памяти: Волатильная
• Формат памяти: SRAM - Асинхронная
• Объем памяти: 16Mbit (2MB)
• Организация памяти: 1M x 16 бит
• Интерфейс: Параллельный
• Время записи: 10 наносекунд
• Время доступа: 10 наносекунд
• Напряжение питания: 2.2V ~ 3.6V
• Рабочая температура: -40°C ~ +85°C
• Тип монтажа: Поверхностный (SMD)
• Корпус: 48-TSOP I (0.724", 18.40mm ширина)

Возможные аналоги:

• AS6C1016-55TIN от Alliance Memory: 1M x 16 бит, аналогичный объем и организация памяти
• IS61LV25616AL-10TLI от ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.): SRAM с аналогичными параметрами времени доступа

Используйте чип CY7C1061GN30-10ZXI для создания высокопроизводительных и энергоэффективных систем, требующих быстрого доступа к данным.