CY7C1061GE30-10BVJXI

6 960,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

CY7C1061GE30-10BVJXI от Infineon Technologies

Общее описание

CY7C1061GE30-10BVJXI — это высокопроизводительная статическая оперативная память (SRAM) на 16 Мбит от производителя Infineon Technologies. Этот асинхронный чип памяти предлагает параллельный интерфейс и обеспечивает низкое время доступа 10 нс, что делает его идеальным решением для приложений, требующих высокой скорости и надежности.

Преимущества

  • Высокая скорость: Время доступа 10 нс обеспечивает быструю обработку данных.
  • Энергоэффективность: Рабочее напряжение питания от 2,2 до 3,6 В помогает снизить потребление энергии.
  • Широкий диапазон температур: Поддержка рабочих температур от -40°C до +85°C позволяет использовать чип в различных условиях.
  • Компактный корпус: 48-VFBGA корпус с размерами 6x8 мм оптимизирует использование пространства на плате.

Недостатки

  • Цена: Высокопроизводительные компоненты могут быть дороже по сравнению с менее производительными аналогами.
  • Повышенные требования к монтажу: Требуется аккуратность при пайке и монтаже корпуса VFBGA.

Типовое использование

  • Буферизация данных
  • Кэширующая память
  • Программируемые логические устройства
  • Системы управления и автоматики
  • Встроенные системы и устройства

Рекомендации по применению

  • Проектирование печатных плат: Необходимо учитывать требования к монтажу и обеспечение достаточного зазора между контактами корпуса VFBGA.
  • Энергопотребление: При разработке системы питания предусмотреть соответствие диапазону напряжений чипа (2,2 – 3,6 В).
  • Условия эксплуатации: Убедитесь, что рабочая температура вашей системы не превышает допустимых значений (-40°C до +85°C).

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: SRAM (статическая оперативная память)
  • Организация памяти: 1M x 16 бит
  • Время доступа: 10 нс
  • Время записи (Write Cycle Time): 10 нс
  • Напряжение питания: 2,2 В – 3,6 В
  • Рабочая температура: -40°C – +85°C
  • Корпус: 48-VFBGA (6x8 мм)

Возможные аналоги

  • CY7C1061DV33-10BVXI от Cypress
  • AS6C1616-55BIN от Alliance Memory
  • IS61WV51216BLL-10BLI от ISSI

CY7C1061GE30-10BVJXI от Infineon Technologies является отличным выбором для приложений, требующих высокой производительности, надежности и энергоэффективности.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК