CY7C1061GE18-15ZSXI
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
CY7C1061GE18-15ZSXI от Infineon
Общее описание
CY7C1061GE18-15ZSXI – это высокопроизводительная статическая оперативная память (SRAM) с объёмом 16 Мбит от компании Infineon. Данная память предназначена для использования в системах, требующих быстрой и надёжной памяти, работающей в асинхронном режиме. Это компоненты премиум-класса, обеспечивающие высокую скорость обмена данными и надёжность работы.
Преимущества
- Высокая скорость доступа: Время доступа составляет всего 15 нс, что гарантирует минимальные задержки при чтении и записи данных.
- Широкий диапазон напряжений питания: Поддержка напряжения питания от 1,65 В до 2,2 В позволяет использовать компонент в различных системах с разными требованиями к питанию.
- Широкие температурные диапазоны: Рабочий диапазон температуры от -40°C до 85°C позволяет использовать компонент как в обычных, так и в экстремальных климатических условиях.
Недостатки
- Высокое потребление энергии, характерное для SRAM памяти, может быть недостатком для использования в энергозависимых приложениях.
- Объём памяти ограничен 16 Мбит, что может быть недостаточным для приложений, требующих большой объём памяти.
Типовое использование
- Микроконтроллерные и микропроцессорные системы: Отлично подходит для использования в качестве быстрой временной памяти.
- Сетевое и телекоммуникационное оборудование: Используется в маршрутизаторах, коммутаторах и подобном оборудовании.
- Автоматизация и управление: Применяется в системах реального времени и промышленного управления.
Рекомендации по применению
- Убедитесь, что питание и сигналы согласованы с требованиями компонента.
- Используйте качественные схемы разграничения и декуплинга для минимизации шумов и помех.
- Обеспечьте адекватное охлаждение в условиях повышенной температуры окружающей среды.
Основные технические характеристики
- Тип памяти: Временная (Volatile)
- Формат памяти: SRAM - асинхронная
- Размер памяти: 16 Мбит (1М x 16)
- Интерфейс памяти: Параллельный
- Время записи цикла: 15 нс
- Время доступа: 15 нс
- Напряжение питания: от 1,65 В до 2,2 В
- Рабочая температура: от -40°C до 85°C
- Тип корпуса: 54-выводной TSOP II (10,16 мм)
Возможные аналоги
- CY7C1061G30-10ZXI: Альтернативный вариант с меньшим временем доступа.
- IS61WV102416BLL-10TLI от ISSI: Тоже 16 Мбит SRAM, но с другим временным циклом и напряжением.
Заключение
Память CY7C1061GE18-15ZSXI от Infineon предоставляет отличную производительность и надежность для различных приложений, требующих высокоскоростной оперативной памяти. Она идеально подходит для использования в телекоммуникационных, сетевых и управляющих системах.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.