CY7C1061G30-10ZSXIT

CY7C1061G30-10ZSXIT от Infineon

Общее описание

CY7C1061G30-10ZSXIT — это асинхронная память типа SRAM (Static Random-Access Memory) от компании Infineon, объемом 16 Мбит. Этот микросхемный компонент обеспечивает высокую скорость доступа и обычно используется в различных цифровых устройствах, таких как микропроцессорные системы, телекоммуникационные приборы и сетевое оборудование. Корпус TSOP-II (Thin Small Outline Package) подходит для поверхностного монтажа, что облегчает интеграцию компонента в устройства с ограниченным пространством.

Преимущества

• Высокая скорость доступа: Время доступа составляет всего 10 нс.
• Широкий диапазон напряжения питания: Поддерживает напряжение питания от 2.2 В до 3.6 В.
• Надёжность и стабильность: SRAM отличается отсутствием необходимости в циклах обновления данных, что увеличивает надежность работы.

Недостатки

• Сложность установки: Технология поверхностного монтажа может быть более сложной для ручного монтажа и пайки.
• Энергопотребление: В сравнении с энергосберегающими типами памяти, такими как флэш-память, SRAM требует постоянного питания для сохранения данных.

Типовое использование

• Микропроцессорные системы: Используется в качестве оперативной памяти для хранения временных данных и промежуточных результатов.
• Телекоммуникационные устройства: Применяется в маршрутизаторах, коммутаторах и других сетевых устройствах для быстрого обмена данными.
• Промышленные приборы: Используется в системах управления, где требуется высокая скорость обработки данных.

Рекомендации по применению

• Оптимальный монтаж: Используйте методы, обеспечивающие качественный контакт и предотвращающие механические повреждения при монтаже.
• Электропитание: Соблюдайте рекомендуемые диапазоны напряжения для обеспечения стабильной работы.
• Обеспечение охлаждения: При работе с высокими тактовыми частотами и интенсивной загрузкой предусмотрите соответствующее охлаждение для предотвращения перегрева.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: SRAM - Асинхронная
• Объем памяти: 16 Мбит (1M x 16)
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Время доступа: 10 нс
• Цикл записи: 10 нс
• Диапазон напряжения питания: 2.2 В ~ 3.6 В
• Рабочий температурный диапазон: -40°C ~ 85°C
• Тип монтажа: Поверхностный монтаж
• Корпус: 54-TSOP II (0.400”, 10.16 мм ширина)

Возможные аналоги

• IS61WV102416BLL-10TLI от ISSI
• AS7C31025B-10TIN от Alliance Memory
• CY7C1061G-12ZCIT от Cypress Semiconductor

Этот компонент идеально подходит для применения в условиях, где требуется высокая скорость и надежность передачи данных.