CY7C1061G30-10ZSXI

12 480,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Описание для CY7C1061G30-10ZSXI от Infineon

Общее описание

CY7C1061G30-10ZSXI — это асинхронная статическая оперативная память (SRAM) от компании Infineon, обладающая емкостью 16 мегабит (1 мегабайт x 16 бит) и работающая на напряжении от 2.2V до 3.6V. Корпус данного чипа выполнен в формате TSOP II с 54 выводами, что обеспечивает компактное размещение на плате и высокую производительность благодаря времени доступа 10 нс.

Преимущества

  • Высокая скорость чтения и записи: Время доступа 10 нс обеспечивает быструю обработку данных.
  • Широкий диапазон напряжений питания: Поддержка напряжения от 2.2V до 3.6V делает этот чип универсальным для различных приложений.
  • Компактный корпус: Формат 54-TSOP II (0.400", 10.16 мм ширина) позволяет экономить место на печатной плате.

Недостатки

  • Волатильная память: Потребует наличие энергии для сохранения данных, что значит, что данные будут потеряны при отключении питания.

Типовое использование

  • Буфер обмена данными: Идеально подходит для использования в качестве буфера данных ввода-вывода.
  • Кэш-память: Часто используется в качестве кэш-памяти в процессорных системах.
  • Встроенные системы: Отличный выбор для микроконтроллеров и других встроенных систем, требующих быстрый доступ к данным.

Рекомендации по применению

  • Проверка напряжения: Убедитесь, что напряжение питания находится в пределах указанного диапазона.
  • Температурные условия: Рабочая температура составляет от -40°C до 85°C. Важно учитывать это при проектировании устройств, работающих в экстремальных условиях.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: Волатильная
  • Технология: SRAM — Асинхронная
  • Объем памяти: 16 Мбит (1 Мбайт x 16 бит)
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Время цикла записи: 10 нс
  • Время доступа: 10 нс
  • Напряжение питания: 2.2V ~ 3.6V
  • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMT)
  • Корпус: 54-TSOP II (0.400", 10.16 мм ширина)

Возможные аналоги

  • CY7C1061B-10VI от Cypress
  • IS61WV102416BLL-10TLI от ISSI
  • AS7C38098A-10BIN от Alliance Memory

Заключение

Чип CY7C1061G30-10ZSXI от Infineon является высокопроизводительной SRAM-памятью, которая подходит для широкого спектра высокоскоростных приложений. Она обеспечивает быстрый доступ к данным и имеет широкий диапазон рабочих напряжений, что делает её универсальным решением для различных инженерных задач.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК