CY7C1061G30-10BVJXI

6 000,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

CY7C1061G30-10BVJXI от Infineon

Общее описание

CY7C1061G30-10BVJXI — это энергозависимая асинхронная статическая память (SRAM) объемом 16 Мбит, выпускаемая компанией Infineon Technologies. Чип выполнен в корпусе 48-VFBGA с размерами 6x8 мм и предназначен для поверхностного монтажа.

Преимущества

  • Высокая скорость: Время доступа и запись составляет всего 10 нс, что обеспечивает быструю реакцию на запросы данных.
  • Низкое энергопотребление: Рабочее напряжение в диапазоне от 2,2 В до 3,6 В уменьшает общее потребление энергии, что важно для портативных устройств.
  • Широкий температурный диапазон: Рабочая температура от -40°C до 85°C делает этот чип пригодным для использования в разнообразных условиях.

Недостатки

  • Энергозависимая память: Память теряет данные при отключении питания, что требует дополнительных решений для хранения критических данных.
  • Параллельный интерфейс: Хотя параллельный интерфейс обеспечивает высокую скорость, его сложность может увеличивать затраты на проектирование и монтаж.

Типовое использование

  • Эмбеддед системы: Идеально подходит для систем встраиваемого управления, где важны высокая скорость и низкое энергопотребление.
  • Коммуникационные устройства: Применимо в сетевых маршрутизаторах и других средствах связи, требующих быстрой обработки данных.
  • Промышленная автоматизация: Используется в автоматизированных системах контроля и управления.

Рекомендации по применению

  • Расчет энергопотребления: Рассчитайте потребляемую мощность, чтобы проект соответствовал требованиям системного энергопотребления.
  • Организация схемы питания: Убедитесь в надежности питания для минимизации риска потери данных.
  • Охлаждение: При проектировке устройства учитывайте возможные тепловыделения.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: Энергозависимая статическая память (SRAM)
  • Объем памяти: 16 Мбит (1M x 16)
  • Организация памяти: 1M x 16
  • Интерфейс: Параллельный
  • Время доступа: 10 нс
  • Рабочее напряжение: 2,2 В - 3,6 В
  • Рабочая температура: -40°C до 85°C
  • Корпус: 48-VFBGA (6x8)

Возможные аналоги

  • AS6C1616-55BIN от Alliance Memory: аналогичная SRAM-память, но с более высокой задержкой (55 нс).
  • IS61WV102416BLL-10TLI от ISSI: щедро схожие параметры, но в корпусе TQFP.
  • GS88232A-10T от GSI Technology: также 16 Мбит памяти, быстрее работу и некоторое отличие в функционале.

Это надежная и высокопроизводительная асинхронная SRAM-память, подходящая для множества применений в различных областях.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК