CY7C1061G30-10BVJXI
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
CY7C1061G30-10BVJXI от Infineon
Общее описание
CY7C1061G30-10BVJXI — это энергозависимая асинхронная статическая память (SRAM) объемом 16 Мбит, выпускаемая компанией Infineon Technologies. Чип выполнен в корпусе 48-VFBGA с размерами 6x8 мм и предназначен для поверхностного монтажа.
Преимущества
- Высокая скорость: Время доступа и запись составляет всего 10 нс, что обеспечивает быструю реакцию на запросы данных.
- Низкое энергопотребление: Рабочее напряжение в диапазоне от 2,2 В до 3,6 В уменьшает общее потребление энергии, что важно для портативных устройств.
- Широкий температурный диапазон: Рабочая температура от -40°C до 85°C делает этот чип пригодным для использования в разнообразных условиях.
Недостатки
- Энергозависимая память: Память теряет данные при отключении питания, что требует дополнительных решений для хранения критических данных.
- Параллельный интерфейс: Хотя параллельный интерфейс обеспечивает высокую скорость, его сложность может увеличивать затраты на проектирование и монтаж.
Типовое использование
- Эмбеддед системы: Идеально подходит для систем встраиваемого управления, где важны высокая скорость и низкое энергопотребление.
- Коммуникационные устройства: Применимо в сетевых маршрутизаторах и других средствах связи, требующих быстрой обработки данных.
- Промышленная автоматизация: Используется в автоматизированных системах контроля и управления.
Рекомендации по применению
- Расчет энергопотребления: Рассчитайте потребляемую мощность, чтобы проект соответствовал требованиям системного энергопотребления.
- Организация схемы питания: Убедитесь в надежности питания для минимизации риска потери данных.
- Охлаждение: При проектировке устройства учитывайте возможные тепловыделения.
Основные технические характеристики
- Тип памяти: Энергозависимая статическая память (SRAM)
- Объем памяти: 16 Мбит (1M x 16)
- Организация памяти: 1M x 16
- Интерфейс: Параллельный
- Время доступа: 10 нс
- Рабочее напряжение: 2,2 В - 3,6 В
- Рабочая температура: -40°C до 85°C
- Корпус: 48-VFBGA (6x8)
Возможные аналоги
- AS6C1616-55BIN от Alliance Memory: аналогичная SRAM-память, но с более высокой задержкой (55 нс).
- IS61WV102416BLL-10TLI от ISSI: щедро схожие параметры, но в корпусе TQFP.
- GS88232A-10T от GSI Technology: также 16 Мбит памяти, быстрее работу и некоторое отличие в функционале.
Это надежная и высокопроизводительная асинхронная SRAM-память, подходящая для множества применений в различных областях.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.