CY7C1061G-10ZXI

9 360,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

CY7C1061G-10ZXI от Infineon

Общее описание

CY7C1061G-10ZXI — это асинхронная статическая память (SRAM) с емкостью 16 Мбит, организованная как 1M x 16. Эта память имеет интерфейс параллельного типа и предназначена для работы в диапазоне напряжений питания от 4.5В до 5.5В. Корпус изделия выполнен в форме 48-выводного TSOP I, что позволяет использовать его в поверхностном монтаже (SMT).

Преимущества

  • Высокая скорость: Время доступа 10 нс обеспечивает быструю работу при высоких нагрузках.
  • Широкий диапазон напряжений питания: Работает при напряжении от 4.5В до 5.5В.
  • Широкий температурный диапазон: От -40°C до +85°C, что делает его подходящим для различных условий эксплуатации.
  • Асинхронный режим: Простота в использовании без необходимости синхронизации.

Недостатки

  • Высокое энергопотребление: Поскольку SRAM является энергозависимой памятью, для сохранения данных требуется постоянное питание.

Типовое использование

  • Системы хранения данных: Используется в различных устройствах, требующих быстрой и надежной памяти.
  • Микроконтроллеры и микропроцессоры: Отлично подходит для временного хранения данных, оперативной памяти и кэш-памяти.
  • Встраиваемые системы: Идеально подходит для использования в устройствах с ограничениями по температурным условиям и пространству.

Рекомендации по применению

  • Используйте стабилизированные источники питания, чтобы обеспечить стабильную работу памяти.
  • Соблюдайте температурные условия, указанные в технических характеристиках, для максимальной производительности.
  • Интегрируйте в проекты, требующие быстрой и надежной временной памяти для оптимальной производительности системы.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: Вольатильная
  • Формат памяти: SRAM - Асинхронная
  • Объем памяти: 16 Мбит
  • Организация памяти: 1М x 16
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Время записи: 10 нс
  • Время доступа: 10 нс
  • Напряжение питания: 4.5В ~ 5.5В
  • Рабочий температурный диапазон: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Тип крепления: Поверхностный монтаж
  • Корпус: 48-выводной TSOP I

Возможные аналоги

  • IS61C1024-10T от ISSI: Аналогичная память с немного другими характеристиками.
  • AS6C1008-55TIN от Alliance Memory: Однотипная SRAM память с похожим временем доступа и напряжением питания.
  • CY7C1021BN-12ZXIT от Cypress: Другой асинхронный SRAM с более высоким временем доступа.

Используйте CY7C1061G-10ZXI для обеспечения быстрой и надежной временной памяти в ваших проектах.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК