CY7C1061G-10ZSXI

CY7C1061G-10ZSXI от Infineon

Общее описание: CY7C1061G-10ZSXI — это асинхронная статическая оперативная память (SRAM) емкостью 16 Мбит, организованная в конфигурации 1M x 16 бит. Данный компонент от Infineon идеально подходит для приложений, требующих быстрой и надежной памяти с низким временем доступа.

Преимущества:

• Низкое время доступа (10 нс)
• Высокая скорость работы
• Широкий диапазон напряжения питания (4.5V ~ 5.5V)
• Температурный диапазон промышленного уровня (-40°C ~ 85°C)

Недостатки:

• В настоящий момент статус компонента — Last Time Buy, что может затруднить его приобретение в будущем.
• Писклявая необходимость строгого соблюдения условий эксплуатации (температура, напряжение)

Типовое использование:

• Встраиваемые системы
• Цифровая обработка сигналов (DSP)
• Кэш-память в микроконтроллерах и микропроцессорах
• Системы хранения данных

Рекомендации по применению:

• Убедитесь, что допустимые уровни напряжения питания (4.5V ~ 5.5V) поддерживаются на всех этапах эксплуатации устройства.
• Применяйте соответствующие практики монтажа и пайки для поверхностно-монтируемых устройств (SMD).

Основные технические характеристики:

• Тип памяти: SRAM — асинхронная
• Организация памяти: 1M x 16
• Интерфейс: Параллельный
• Время записи: 10 нс
• Время доступа: 10 нс
• Напряжение питания: 4.5V ~ 5.5V
• Рабочий температурный диапазон: -40°C ~ 85°C
• Тип монтажа: Поверхностный
• Корпус: 54-TSOP (0.400”, 10.16mm ширина)
• Упаковка устройства: 54-TSOP II

Возможные аналоги:

• CY7C1061AV33-10ZSXI
• AS6C1008-55BIN
• IS61LV25616AL-10TL от ISSI
• BS62LV1027SIP-70 от Brill

Для более детальной информации обратитесь к [документации производителя](https://www.infineon.com/cms/en/product/promopages/mil-and-aero) и руководству по применению.