CY7C1051H30-10BVXI

5 280,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Описание компонента CY7C1051H30-10BVXI от Infineon

Общее описание:

CY7C1051H30-10BVXI — это высокоскоростная статическая память (SRAM) с объемом 8 Мбит, обеспечивающая надежную и стабильную работу в широком диапазоне температур. Микросхема выполнена по технологии SRAM и организована как 512K x 16 бит. Она имеет параллельный интерфейс и отличается низким энергопотреблением.

Преимущества:

  • Высокая скорость доступа: Время доступа составляет всего 10 нс, что обеспечивает быструю обработку данных.
  • Широкий диапазон рабочих температур: Работоспособность гарантируется в диапазоне от -40°C до +85°C, что делает ее подходящей для использования в различных условиях.
  • Низкое энергопотребление: Поддержка напряжения питания от 2.2V до 3.6V минимизирует расход энергии.
  • Надежность и долговечность: Высокое качество компонентов обеспечивает стабильную работу на протяжении всего срока эксплуатации.

Недостатки:

  • Требования к питанию: Питание от 2.2V до 3.6V может потребовать соответствующих преобразователей напряжения.
  • Параллельный интерфейс: Требует большего количества выводов, что может занять больше места на печатной плате.

Типовое использование:

  • Встраиваемые системы и микроконтроллеры: Обеспечивает быстрый доступ к данным без задержек.
  • Системы хранения данных: Подходит для кеширования данных и временного хранения информации.
  • Автомобильная электроника: Благодаря температурному диапазону и надежности, идеально подходит для автомобильных систем.
  • Промышленная автоматика: Используется в системах управления и мониторинга производства.

Рекомендации по применению:

  • Убедитесь, что напряжение питания находится в пределах указанного диапазона.
  • Используйте подходящие конденсаторы декуплинга для минимизации шумов и помех.
  • Следите за правильным подключением параллельного интерфейса для обеспечения надежной работы.

Основные технические характеристики:

  • Тип памяти: Волатильная
  • Формат памяти: SRAM - Синхронная
  • Объем памяти: 8 Мбит (512K x 16)
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Время записи: 10 нс
  • Время доступа: 10 нс
  • Напряжение питания: 2.2V ~ 3.6V
  • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
  • Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMD)
  • Корпус / упаковка: 48-VFBGA (6x8)

Возможные аналоги:

  • CY7C1051DV33-10BVXI: Похожая модель с аналогичными характеристиками от Cypress.
  • IS61LV51216BLL-10TLI: Альтернатива от ISSI с схожими параметрами.

Если вам понадобилось надежное и высокоскоростное решение для ваших проектов, CY7C1051H30-10BVXI от Infineon станет отличным выбором.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК