CY7C1051H30-10BVXI
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
Описание компонента CY7C1051H30-10BVXI от Infineon
Общее описание:
CY7C1051H30-10BVXI — это высокоскоростная статическая память (SRAM) с объемом 8 Мбит, обеспечивающая надежную и стабильную работу в широком диапазоне температур. Микросхема выполнена по технологии SRAM и организована как 512K x 16 бит. Она имеет параллельный интерфейс и отличается низким энергопотреблением.
Преимущества:
- Высокая скорость доступа: Время доступа составляет всего 10 нс, что обеспечивает быструю обработку данных.
- Широкий диапазон рабочих температур: Работоспособность гарантируется в диапазоне от -40°C до +85°C, что делает ее подходящей для использования в различных условиях.
- Низкое энергопотребление: Поддержка напряжения питания от 2.2V до 3.6V минимизирует расход энергии.
- Надежность и долговечность: Высокое качество компонентов обеспечивает стабильную работу на протяжении всего срока эксплуатации.
Недостатки:
- Требования к питанию: Питание от 2.2V до 3.6V может потребовать соответствующих преобразователей напряжения.
- Параллельный интерфейс: Требует большего количества выводов, что может занять больше места на печатной плате.
Типовое использование:
- Встраиваемые системы и микроконтроллеры: Обеспечивает быстрый доступ к данным без задержек.
- Системы хранения данных: Подходит для кеширования данных и временного хранения информации.
- Автомобильная электроника: Благодаря температурному диапазону и надежности, идеально подходит для автомобильных систем.
- Промышленная автоматика: Используется в системах управления и мониторинга производства.
Рекомендации по применению:
- Убедитесь, что напряжение питания находится в пределах указанного диапазона.
- Используйте подходящие конденсаторы декуплинга для минимизации шумов и помех.
- Следите за правильным подключением параллельного интерфейса для обеспечения надежной работы.
Основные технические характеристики:
- Тип памяти: Волатильная
- Формат памяти: SRAM - Синхронная
- Объем памяти: 8 Мбит (512K x 16)
- Интерфейс памяти: Параллельный
- Время записи: 10 нс
- Время доступа: 10 нс
- Напряжение питания: 2.2V ~ 3.6V
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMD)
- Корпус / упаковка: 48-VFBGA (6x8)
Возможные аналоги:
- CY7C1051DV33-10BVXI: Похожая модель с аналогичными характеристиками от Cypress.
- IS61LV51216BLL-10TLI: Альтернатива от ISSI с схожими параметрами.
Если вам понадобилось надежное и высокоскоростное решение для ваших проектов, CY7C1051H30-10BVXI от Infineon станет отличным выбором.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.