CY7C1051H30-10BV1XE

8 400,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

Общее описание

CY7C1051H30-10BV1XE - это асинхронная статическая оперативная память (SRAM) на 8 Мбит от компании Infineon Technologies. Данный компонент предназначен для хранения данных с высокой скоростью и низкой задержкой. Микросхема выполнена в корпусе 48-VFBGA размером 6x8 мм.

Преимущества

  • Высокая скорость: Время доступа составляет всего 10 нс, что позволяет использовать микросхему в приложениях с высокими требованиями к быстродействию.
  • Широкий диапазон напряжений: Напряжение питания в пределах от 2.2В до 3.6В предоставляет гибкость в различных схемах.
  • Надежность: Широкий рабочий диапазон температур (-40°C ~ 125°C) делает микросхему надежной для использования в различных условиях.

Недостатки

  • Стоимость: SRAM может быть дороже других типов памяти, таких как DRAM.
  • Небольшой объем: Объем памяти ограничен 8 Мбит, что может быть недостаточно для некоторых приложений.

Типовое использование

  • Буферы данных: Используется в цифровых системах для быстрого хранения и извлечения данных.
  • Кэш-память: Широко применяется в микропроцессорных системах для улучшения производительности.
  • Системы управления: Идеально подходит для различных систем управления, где важна высокая скорость и надежность.

Рекомендации по применению

  • Обеспечьте надлежащее напряжение питания: Гарантируйте, что напряжение питания находится в пределах рекомендуемого диапазона (2.2В ~ 3.6В).
  • Учитывайте температурный режим: Используйте компонент в условиях, соответствующих его рабочим температурным характеристикам (от -40°C до 125°C).
  • Минимизируйте электромагнитные помехи: Для улучшения работы схемы и предотвращения ошибок хранения данных, избегайте электромагнитных помех.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: SRAM - асинхронная память
  • Объем памяти: 8 Мбит
  • Организация памяти: 512К x 16
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Время цикла записи - слово, страница: 10 нс
  • Время доступа: 10 нс
  • Напряжение питания: 2.2В ~ 3.6В
  • Рабочая температура: -40°C ~ 125°C (TA)
  • Тип монтажа: Поверхностный монтаж
  • Корпус/номер корпуса: 48-VFBGA
  • Поставляемый корпус устройства: 48-VFBGA (6x8)

Возможные аналоги

  • CY7C1051H-10VXI от Cypress
  • IS61WV102416BLL-10BLI от ISSI (Integrated Silicon Solution Inc.)

Используйте эту SRAM для приложений, где важны высокая скорость работы, низкая задержка и надежность.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК