CY62187EV30LL-55BAXI
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
Общее описание
CY62187EV30LL-55BAXI — это высокопроизводительная статическая оперативная память (SRAM) емкостью 64 мегабит (4M x 16) с параллельным интерфейсом, выпускаемая компанией Infineon Technologies. Этот компонент предназначен для работы в системах, требующих низкого энергопотребления и высокой скорости доступа к данным.
Преимущества
- Высокая емкость: 64 мегабит (4M x 16) позволяет хранить значительное количество данных.
- Быстрый доступ: Время доступа составляет всего 55 нс, что обеспечивает быструю передачу данных.
- Низкое энергопотребление: Оптимизирован для работы при низком напряжении питания в диапазоне от 2.2V до 3.7V, что способствует снижению энергопотребления системы.
- Широкий температурный диапазон: Рабочий температурный диапазон от -40°C до 85°C позволяет использовать этот компонент в различных условиях эксплуатации.
Недостатки
- Волатильность: Память является энергозависимой (SRAM), что требует постоянного питания для сохранения данных.
- Сложность монтажа: Поверхностный монтаж (SMD) в корпусе 48-FBGA требует высокоточной пайки и может затруднить ремонт и замену компонента.
Типовое использование
- Мобильные и портативные устройства: Используется в устройствах, где важны низкое энергопотребление и высокая скорость доступа к памяти.
- Эмбеддед-системы: Подходит для встроенных систем, включая микроконтроллеры и DSP.
- Буферная память: Применяется в качестве буферной памяти в различных высокоскоростных интерфейсах.
Рекомендации по применению
- Удостоверьтесь в надлежащем охлаждении: Хотя компонент работает в широком диапазоне температур, всегда важно учитывать теплоотвод для обеспечения стабильной работы.
- Постоянное напряжение питания: Обеспечьте стабильное питание в рекомендуется диапазоне от 2.2V до 3.7V для поддержания надежной работы памяти.
- Используйте радиопомехозащищенные схемы: При проектировании схемы учитывайте меры против радиопомех и шумов для предотвращения сбоев в работе памяти.
Основные технические характеристики
- Тип памяти: SRAM - асинхронная
- Емкость памяти: 64 мегабит (4M x 16)
- Интерфейс: Параллельный
- Время доступа: 55 нс
- Напряжение питания: 2.2V ~ 3.7V
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
- Корпус: 48-LFBGA (8x9.5)
- Разводка выводов: 48-FBGA
Возможные аналоги
- IS61WV102416BLL от ISSI
- AS6C4016 от Alliance Memory
- CY62147EV30LL от Cypress
Эти аналоги также являются энергонезависимыми SRAM-микросхемами параллельного интерфейса с различными параметрами емкости и времени доступа.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.