CY62187EV30LL-55BAXI

22 080,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Общее описание

CY62187EV30LL-55BAXI — это высокопроизводительная статическая оперативная память (SRAM) емкостью 64 мегабит (4M x 16) с параллельным интерфейсом, выпускаемая компанией Infineon Technologies. Этот компонент предназначен для работы в системах, требующих низкого энергопотребления и высокой скорости доступа к данным.

Преимущества

  • Высокая емкость: 64 мегабит (4M x 16) позволяет хранить значительное количество данных.
  • Быстрый доступ: Время доступа составляет всего 55 нс, что обеспечивает быструю передачу данных.
  • Низкое энергопотребление: Оптимизирован для работы при низком напряжении питания в диапазоне от 2.2V до 3.7V, что способствует снижению энергопотребления системы.
  • Широкий температурный диапазон: Рабочий температурный диапазон от -40°C до 85°C позволяет использовать этот компонент в различных условиях эксплуатации.

Недостатки

  • Волатильность: Память является энергозависимой (SRAM), что требует постоянного питания для сохранения данных.
  • Сложность монтажа: Поверхностный монтаж (SMD) в корпусе 48-FBGA требует высокоточной пайки и может затруднить ремонт и замену компонента.

Типовое использование

  • Мобильные и портативные устройства: Используется в устройствах, где важны низкое энергопотребление и высокая скорость доступа к памяти.
  • Эмбеддед-системы: Подходит для встроенных систем, включая микроконтроллеры и DSP.
  • Буферная память: Применяется в качестве буферной памяти в различных высокоскоростных интерфейсах.

Рекомендации по применению

  • Удостоверьтесь в надлежащем охлаждении: Хотя компонент работает в широком диапазоне температур, всегда важно учитывать теплоотвод для обеспечения стабильной работы.
  • Постоянное напряжение питания: Обеспечьте стабильное питание в рекомендуется диапазоне от 2.2V до 3.7V для поддержания надежной работы памяти.
  • Используйте радиопомехозащищенные схемы: При проектировании схемы учитывайте меры против радиопомех и шумов для предотвращения сбоев в работе памяти.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: SRAM - асинхронная
  • Емкость памяти: 64 мегабит (4M x 16)
  • Интерфейс: Параллельный
  • Время доступа: 55 нс
  • Напряжение питания: 2.2V ~ 3.7V
  • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
  • Корпус: 48-LFBGA (8x9.5)
  • Разводка выводов: 48-FBGA

Возможные аналоги

  • IS61WV102416BLL от ISSI
  • AS6C4016 от Alliance Memory
  • CY62147EV30LL от Cypress

Эти аналоги также являются энергонезависимыми SRAM-микросхемами параллельного интерфейса с различными параметрами емкости и времени доступа.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК