CY62177EV18LL-70BAXI

8 640,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

CY62177EV18LL-70BAXI от Infineon

Общее описание

CY62177EV18LL-70BAXI — это асинхронное статическое энергозависимое запоминающее устройство (SRAM) от Infineon Technologies. Этот микросхемный модуль предлагает ёмкость 32 Мбит и предназначен для применения в широком диапазоне промышленных и коммерческих приложений, где важны быстрый доступ к данным и высокая производительность памяти.

Преимущества

  • Высокая скорость доступа: Время доступа составляет 70 нс, что позволяет выделяться высокой скоростью операций чтения и записи.
  • Низкое потребление энергии: Поддержка работы при напряжении питания от 1.65В до 2.25В и пониженное энергопотребление в режиме ожидания и при активной работе.
  • Широкий температурный диапазон: Поддержка стабильной работы в диапазоне от -40°C до 85°C, что делает устройство подходящим для использования в различных условиях окружающей среды.
  • Компактный корпус: Устройство выполнено в поверхностно монтируемом корпусе FBGA, который экономит место на плате.

Недостатки

  • Высокая стоимость по сравнению с DRAM: SRAM чипы обычно дороже, чем DRAM, при той же емкости памяти.
  • Энергозависимость: Потеря данных при отключении питания.

Типовое использование

  • Кэши процессоров
  • Оперативная память для микроконтроллеров
  • Буферизация данных в системах хранения и передачи данных
  • Высокопроизводительные вычислительные задачи

Рекомендации по применению

  • Убедитесь в наличии адекватного напряжения питания и хорошей стабилизации источника питания.
  • При проектировании схемы учитывайте необходимость вентиляции или теплоотвода при высоких температурах.
  • Используйте подходящие техника пайки для поверхностно монтируемых устройств, чтобы обеспечить надежное соединение и избежать повреждений.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: SRAM (энергозависимая память)
  • Размер памяти: 32 Мбит
  • Организация памяти: 4М x 8 или 2М x 16
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Время доступа: 70 нс
  • Напряжение питания: от 1.65В до 2.25В
  • Диапазон рабочих температур: -40°C ~ 85°C
  • Корпус: 48-FBGA (8x9.5 мм)
  • Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMD)

Возможные аналоги

  • CY62177EV30LL-45BVXI от Cypress
  • AS7C3513B-15JCN от Alliance Memory
  • IDT71V416S12PHGI8 от IDT, Integrated Device Technology Inc.

Используя CY62177EV18LL-70BAXI, вы получаете надежное и высокопроизводительное решение для задач, требующих быстрой и надежной памяти.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК