CY62157H30-45BVXA

Описание Компонента: CY62157H30-45BVXA от Infineon

Общее Описание

CY62157H30-45BVXA – это асинхронная статическая память SRAM на 8 Мбит. Компонуемая в корпус VFBGA с 48 выводами, эта микросхема от Infineon предназначена для хранения данных и быстрого доступа к ним благодаря параллельному интерфейсу. Память SRAM отличается высокой скоростью доступа и отсутствием необходимости в рефрешах, что делает её оптимальной для применения в различных устройствах, требующих быстрой и надежной памяти.

Преимущества

• Высокая скорость доступа: Время доступа составляет всего 45 нс, что делает этот компонент идеальным для применения в приложениях, требующих быстрой обработки данных.
• Широкий диапазон напряжений питания: Наличие диапазона от 2.2V до 3.6V обеспечивает гибкость в использовании различных источников питания.
• Низкое энергопотребление: SRAM имеет низкое энергопотребление как в активном состоянии, так и в режиме ожидания.
• Компактный корпус: Маленький форм-фактор корпуса VFBGA (6x8) позволяет использовать компонент в ограниченных пространствах.

Недостатки

• Волатильность: SRAM требует постоянного питания для сохранения данных, что может быть недостатком в условиях, где необходима энергонезависимая память.
• Параллельный интерфейс: Требует более сложного подключения и большее количество линий связи по сравнению с последовательным интерфейсом.

Типовое Использование

• Микроконтроллерные системы: Быстрый доступ к данным для выполнения различных задач.
• Буферы данных: Используется в качестве временного хранения данных в различных вычислительных системах.
• Кеш-память: Применяется в сетевых устройствах и компьютерной технике.
• Мобильные устройства: Возможность использования в устройствах с ограниченным пространством благодаря компактному форм-фактору.

Рекомендации по Применению

• Убедитесь в соответствии напряжения питания требованиям компонента: Работа в пределах 2.2V ~ 3.6V.
• Проектируйте схемы с учетом времени доступа: Время доступа 45 нс должно быть учтено для оптимальной работы системы.
• Используйте приоритетное питание: Так как память является волатильной, обеспечьте постоянное питание для сохранения данных.

Основные Технические Характеристики

• Тип памяти: SRAM (асинхронная)
• Емкость памяти: 8 Мбит
• Организация памяти: 512K x 16
• Интерфейс: Параллельный
• Время записи: 45 нс
• Время доступа: 45 нс
• Диапазон напряжения питания: 2.2V ~ 3.6V
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
• Тип монтажа: Поверхностный монтаж
• Корпус / размер: 48 выводов, VFBGA (6x8)

Возможные Аналоги

• CY62157E30-45ZSXIT: Аналогичная 8-Мбит SRAM от Cypress Semiconductor.
• IS62WV51216BLL-45BLI: 8-Мбит SRAM от ISSI с похожими характеристиками.

Этот компонент CY62157H30-45BVXA идеально подходит для приложений, требующих высокой скорости и надежности в условиях ограниченного пространства.