CY15V116QN-40BKXI

13 440,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

CY15V116QN-40BKXI от Infineon

Общее описание

CY15V116QN-40BKXI - это энергонезависимая память типа FRAM (ферроэлектрическая RAM) производства компании Infineon Technologies. Этот компонент предлагает высокую производительность и низкое энергопотребление, что делает его идеальным выбором для широкого спектра приложений, требующих надёжного хранения данных и высокой скорости чтения/записи.

Преимущества

  • Высокая скорость чтения и записи: Благодаря быстрому доступу (9 ns) и частоте до 40 MHz.
  • Низкое энергопотребление: Рабочее напряжение в диапазоне от 1.71В до 1.89В.
  • Долговечность: Большое количество циклов записи (свыше 10^14 циклов), а также долговременное хранение данных (минимум 10 лет).
  • Устойчивость к радиации и экстремальным температурам: Рабочий температурный диапазон от -40°C до +85°C.

Недостатки

  • Может потребовать совместимого оборудования: Для полного использования всех возможностей, возможно, потребуется специальное оборудование, поддерживающее интерфейс SPI.

Типовое использование

  • Автоматизация: Применение в системах промышленной автоматизации и управления.
  • Медицинское оборудование: Использование в устройствах для записи и хранения данных медицинских приборов.
  • Энергетика и коммунальные услуги: Системы учета данных и управления энергопотреблением.
  • Потребительская электроника: Использование в носимых устройствах и других приборах, требующих надёжного хранения данных.

Рекомендации по применению

  • Используйте CY15V116QN-40BKXI в системах, требующих высокой скорости чтения и записи данных.
  • Разместите компонент в условиях, соответствующих его температурному диапазону для стабильной работы.
  • Обеспечьте надежное подключение к источнику питания, соответствующее указанным напряжениям.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: FRAM (Ферроэлектрическая RAM)
  • Ёмкость памяти: 16 Mбит (2 M x 8)
  • Интерфейс памяти: SPI
  • Частота: до 40 MHz
  • Время доступа: 9 нс
  • Напряжение питания: 1.71В ~ 1.89В
  • Рабочая температура: от -40°C до 85°C
  • Тип корпуса: 24-FBGA (6x8 мм)

Возможные аналоги

  • Fujitsu MB85RS2MTYPNF-G-JNERE1: Альтернативный FRAM от Fujitsu с аналогичными характеристиками.
  • Analog Devices ADAM9000: Также может использоваться в похожих сценариях применения.

Используя CY15V116QN-40BKXI от Infineon, вы получите надежное и высокопроизводительное решение для ваших проектов, требующих энергонезависимой памяти.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК