CY15B108QSN-108BKXI

10 560,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Описание компонента CY15B108QSN-108BKXI от Infineon

Общее описание

CY15B108QSN-108BKXI - это энергонезависимая память FRAM (ферроэлектрическая RAM) от компании Infineon, обладающая ёмкостью 8 Мбит. Данный компонент поддерживает интерфейс SPI с расширенным вводом-выводом (Quad I/O) и QPI, что обеспечивает высокую скорость передачи данных до 108 МГц. Качество и надежность данной памяти делает её отличным выбором для промышленных и коммерческих применений.

Преимущества

  • Высокая скорость передачи данных: Благодаря поддержке SPI с Quad I/O и QPI обеспечивается скорость до 108 МГц.
  • Высокий уровень долговечности: Память FRAM характеризуется большим количеством циклов записи/чтения по сравнению с другими видами энергонезависимой памяти.
  • Низкое энергопотребление: Оптимизировано для работы в условиях широкого диапазона напряжений питания (1.8В ~ 3.6В).
  • Высокая скорость доступа: Время доступа составляет всего 6.7 нс, что обеспечивает быструю работу системы.

Недостатки

  • Стоимость: Стоимость FRAM может быть выше по сравнению с традиционной энергонезависимой памятью, такой как EEPROM и Flash.

Типовое использование

  • Автомобильная электроника: Применение в автомобильных информационно-развлекательных системах, системах управления двигателем и других приложениях, требующих высокой надежности и скорости.
  • Промышленные устройства: Применение в системах управления, автоматизации и сборе данных, где критична высокая скорость и надежность данных.
  • Медицинское оборудование: Применение в медицинских приборах и системах мониторинга пациентов, где чрезвычайно важны надежность и быстродействие.

Рекомендации по применению

  • Обеспечьте адекватное охлаждение: Для обеспечения надежной работы компонента при высоких частотах рекомендуется обеспечить адекватное охлаждение, особенно в условиях повышенной температуры окружающей среды.
  • Используйте защиту от электростатического разряда (ESD): При работе с компонентом соблюдайте меры защиты от электростатического разряда, чтобы избежать повреждения микросхемы.
  • Планируйте архитектуру системы с учетом скорости обмена данными: Учитывайте скоростные характеристики компонента при разработке схем передачи данных, чтобы максимально эффективно использовать его возможности.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: FRAM (ферроэлектрическая RAM)
  • Ёмкость памяти: 8 Мбит
  • Организация памяти: 1М x 8
  • Интерфейс: SPI - Quad I/O, QPI
  • Частота тактового генератора: 108 МГц
  • Время доступа: 6.7 нс
  • Напряжение питания: 1.8В ~ 3.6В
  • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMT)
  • Корпус: 24-FBGA (6x8)

Возможные аналоги

  • MB85RS1MTYPNF-G-JNERE1 (Fujitsu): FRAM память с аналогичными характеристиками и ёмкостью 8 Мбит.
  • FM25V20A-G (Cypress Semiconductor): FRAM память на 2 Мбит с аналогичным интерфейсом SPI, подойдет для случаев, когда ёмкость памяти можно уменьшить.

Использование CY15B108QSN-108BKXI от Infineon обеспечивает высокую надежность системы благодаря повышенной долговечности и скорости работы, что делает его идеальным выбором для критически важных приложений.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК