CY15B108QSN-108BKXI
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
Описание компонента CY15B108QSN-108BKXI от Infineon
Общее описание
CY15B108QSN-108BKXI - это энергонезависимая память FRAM (ферроэлектрическая RAM) от компании Infineon, обладающая ёмкостью 8 Мбит. Данный компонент поддерживает интерфейс SPI с расширенным вводом-выводом (Quad I/O) и QPI, что обеспечивает высокую скорость передачи данных до 108 МГц. Качество и надежность данной памяти делает её отличным выбором для промышленных и коммерческих применений.
Преимущества
- Высокая скорость передачи данных: Благодаря поддержке SPI с Quad I/O и QPI обеспечивается скорость до 108 МГц.
- Высокий уровень долговечности: Память FRAM характеризуется большим количеством циклов записи/чтения по сравнению с другими видами энергонезависимой памяти.
- Низкое энергопотребление: Оптимизировано для работы в условиях широкого диапазона напряжений питания (1.8В ~ 3.6В).
- Высокая скорость доступа: Время доступа составляет всего 6.7 нс, что обеспечивает быструю работу системы.
Недостатки
- Стоимость: Стоимость FRAM может быть выше по сравнению с традиционной энергонезависимой памятью, такой как EEPROM и Flash.
Типовое использование
- Автомобильная электроника: Применение в автомобильных информационно-развлекательных системах, системах управления двигателем и других приложениях, требующих высокой надежности и скорости.
- Промышленные устройства: Применение в системах управления, автоматизации и сборе данных, где критична высокая скорость и надежность данных.
- Медицинское оборудование: Применение в медицинских приборах и системах мониторинга пациентов, где чрезвычайно важны надежность и быстродействие.
Рекомендации по применению
- Обеспечьте адекватное охлаждение: Для обеспечения надежной работы компонента при высоких частотах рекомендуется обеспечить адекватное охлаждение, особенно в условиях повышенной температуры окружающей среды.
- Используйте защиту от электростатического разряда (ESD): При работе с компонентом соблюдайте меры защиты от электростатического разряда, чтобы избежать повреждения микросхемы.
- Планируйте архитектуру системы с учетом скорости обмена данными: Учитывайте скоростные характеристики компонента при разработке схем передачи данных, чтобы максимально эффективно использовать его возможности.
Основные технические характеристики
- Тип памяти: FRAM (ферроэлектрическая RAM)
- Ёмкость памяти: 8 Мбит
- Организация памяти: 1М x 8
- Интерфейс: SPI - Quad I/O, QPI
- Частота тактового генератора: 108 МГц
- Время доступа: 6.7 нс
- Напряжение питания: 1.8В ~ 3.6В
- Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
- Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMT)
- Корпус: 24-FBGA (6x8)
Возможные аналоги
- MB85RS1MTYPNF-G-JNERE1 (Fujitsu): FRAM память с аналогичными характеристиками и ёмкостью 8 Мбит.
- FM25V20A-G (Cypress Semiconductor): FRAM память на 2 Мбит с аналогичным интерфейсом SPI, подойдет для случаев, когда ёмкость памяти можно уменьшить.
Использование CY15B108QSN-108BKXI от Infineon обеспечивает высокую надежность системы благодаря повышенной долговечности и скорости работы, что делает его идеальным выбором для критически важных приложений.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.