CY15B104QSN-108SXI

CY15B104QSN-108SXI от Infineon

Общее описание: CY15B104QSN-108SXI - это энергонезависимая память типа FRAM (Ferroelectric RAM) с объемом 4 Мбит. Она обеспечивает высокую скорость записи и считывания данных, низкое энергопотребление и долговечность. Этот компонент отлично подходит для использования в различных приложениях, где требуется высокая производительность и надежное хранение данных.

Преимущества:

• Высокая скорость: Время доступа всего 108 нс.
• Высокая долговечность: До 10^14 циклов записи/чтения.
• Низкое энергопотребление: Рабочий диапазон напряжения от 1.8 В до 3.6 В.
• Работа при экстремальных температурах: -40°C до 85°C.

Недостатки:

• Цена: Стоимость FRAM выше по сравнению с традиционными EEPROM или Flash.

Типовое использование:

• Автомобильная промышленность.
• Промышленное оборудование.
• Медицинские устройства.
• Устройства Интернета вещей (IoT).
• Системы безопасности.

Рекомендации по применению:

• Обеспечить надежное соединение с контроллером через SPI интерфейс.
• Учитывать рабочий диапазон напряжений и температур при проектировании систем.
• Правильная компоновка печатной платы для минимизации шумов и обеспечения стабильной работы.

Основные технические характеристики:

• Тип памяти: FRAM
• Объем памяти: 4 Мбит (512К x 8)
• Интерфейс: SPI - Quad I/O
• Частота работы: до 108 МГц
• Напряжение питания: 1.8В - 3.6В
• Рабочая температура: -40°C до 85°C (TA)
• Корпус: 8-SOIC (5.30 мм ширина)

Возможные аналоги:

• FM25V20A от Cypress
• MB85RS4MT от Fujitsu
• FM25CL64B от Cypress

Примечания: Использование FRAM таких как CY15B104QSN-108SXI может повысить надежность и долговечность вашей системы за счет высокой устойчивости к механическим воздействиям и минимальной деградации при многократных операциях записи и считывания.