CY15B104QN-50SXA

6 480,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Описание для CY15B104QN-50SXA от Infineon

Общее описание

CY15B104QN-50SXA - это энерго-независимая память на основе ферроэлектрической технологии (FRAM) от компании Infineon. Этот компонент сочетает в себе высокую скорость, отличную выносливость и низкое энергопотребление, что делает его идеальным решением для современных приложений, требующих надежной и долговечной памяти.

Преимущества

  • Высокая скорость записи и чтения: Поддержка скорости до 50 МГц.
  • Надежность: Высокий цикл выносливости - до 10^14 циклов записи.
  • Низкое энергопотребление: Обеспечивает эффективное использование энергии.
  • Автомобильный стандарт: Соответствует стандарту AEC-Q100, что делает его подходящим для автомобильных приложений.
  • Рабочий диапазон температур: От -40°C до +85°C, что обеспечивает стабильную работу в различных условиях.

Недостатки

  • Стоимость: Более высокая стоимость по сравнению с традиционными типами памяти, такими как EEPROM и Flash.
  • Ограниченные размеры памяти: В то время как 4 Мбит достаточно для многих приложений, в некоторых случаях может потребоваться больше памяти.

Типовое использование

  • Автомобильные системы: Управление двигателем, инфотаинмент-системы, системы помощи водителю.
  • Промышленные приложения: Системы мониторинга и управления, контрольные системы.
  • Медицинские устройства: Мониторы, приборы для диагностики.
  • Энергетические системы: Устройства учета электроэнергии, системы управления сетью.

Рекомендации по применению

  • Энергоснабжение: Обеспечьте стабильное и чистое питание в диапазоне 1.8В до 3.6В.
  • Температурный режим: При использовании компонента в условиях высокой температуры обеспечьте соответствующее охлаждение.
  • Защита от электростатических разрядов (ESD): Соблюдайте меры предосторожности для защиты компонента от ESD.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: Энергонезависимая память (FRAM)
  • Организация памяти: 512K x 8
  • Интерфейс: SPI
  • Максимальная частота: 50 МГц
  • Время доступа: 8 нс
  • Напряжение питания: 1.8В ~ 3.6В
  • Рабочая температура: -40°C ~ +85°C
  • Упаковка: 8-SOIC (0.209", 5.30мм ширина)

Возможные аналоги

  • MB85RS4MTYPNF-G-JNERE1 от Fujitsu: Схожие характеристики и области применения.
  • FM24V10-G от Cypress: Альтернативное решение с немного меньшей емкостью (1 Мбит).

Применение CY15B104QN-50SXA позволит значительно повысить надежность и долговечность ваших систем, обеспечив высокую производительность и стабильную работу в самых критических условиях.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК