CY15B104Q-SXI

CY15B104Q-SXI от Infineon

Общее описание: Микросхема памяти CY15B104Q-SXI от Infineon представляет собой энергонезависимую память типа FRAM (Ferroelectric RAM) ёмкостью 4 Мбит. Она обладает интерфейсом SPI и высокой скоростью работы до 40 МГц. Микросхема выполнена в корпусе SOIC-8 и предназначена для поверхностного монтажа.

Преимущества:

• Высокая скорость: Работа на частоте до 40 МГц.
• Энергонезависимость: Сохранение данных при отключении питания.
• Долговечность: Выдерживает до 10^14 циклов записи/стирания.
• Широкий диапазон напряжения питания: Работает при напряжении от 2 до 3.6 В.

Недостатки:

• Более высокая стоимость по сравнению с другими типами памяти (например, EEPROM или Flash).
• Ограниченная ёмкость по сравнению с некоторыми конкурентными технологиями.

Типовое использование:

• Промышленные и бытовые контроллеры.
• Здоровье и медицинские приборы.
• Автоматизация систем учета.
• Приложения, требующие частого обновления данных без риска потери информации.

Рекомендации по применению:

• Для достижения максимальной долговечности и надежности, соблюдайте рекомендации по питанию и температурному режиму.
• Используйте специализированные защитные схемы для защиты от электростатических разрядов (ESD).
• Учитывайте характеристики интерфейса SPI при проектировании продуктов, опираясь на особенности протокола.

Основные технические характеристики:

• Тип памяти: FRAM
• Ёмкость памяти: 4 Мбит (512K x 8)
• Интерфейс: SPI
• Тактовая частота: до 40 МГц
• Напряжение питания: 2–3.6 В
• Диапазон температур: -40°C до 85°C
• Исполнение: поверхностный монтаж (SOIC-8)

Возможные аналоги:

• FM25V20A-G от Cypress
• MB85RS4MTYPNF-G-APE1 от Fujitsu
• MRAM MR4A08BCYS35 от Everspin

Заключение: CY15B104Q-SXI от Infineon является специализированным решением для приложений, требующих высокой скорости записи/чтения и большого количества циклов перезаписи. Его характеристики делают его отличным выбором для критически важных систем хранения данных.