CY15B104Q-LHXIT

6 480,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

CY15B104Q-LHXIT от Infineon

Общее описание

CY15B104Q-LHXIT — это микросхема F-RAM (Ferroelectric RAM) с обьемом памяти 4 Мбит и интерфейсом SPI, произведенная компанией Infineon. Эта FRAM-микросхема характеризуется высокой скоростью записи/чтения данных и низким энергопотреблением. Она также сохраняет данные при отключении питания, что делает ее отличным выбором для использования в системах, требующих высокоэффективной энергонезависимой памяти.

Преимущества

  • Высокая скорость: Высокая скорость записи и чтения благодаря интерфейсу SPI с тактовой частотой до 40 МГц.
  • Энергонезависимость: Сохраняет данные даже при отключении питания, что повышает надежность системы.
  • Многократная запись: Может выдерживать практически неограниченное количество циклов записи и чтения.
  • Низкое энергопотребление: Эффективно работает при низком энергопотреблении, что важно для мобильных и встроенных систем.

Недостатки

  • Стоимость: F-RAM микросхемы, как правило, дороже в сравнении с традиционной флэш-памятью.

Типовое использование

  • Автомобильная электроника: Системы управления и регистрации данных.
  • Промышленные контроллеры: Используется для хранения критически важных данных.
  • Медицинское оборудование: Поддержка высокоскоростных устройств с низким энергопотреблением.
  • Преносные устройства: Устройства с ограниченным энергопотреблением и высокими требованиями к долговечности.

Рекомендации по применению

  • Резервное копирование данных: Идеально подходит для приложений, где требуется регулярное резервное копирование данных.
  • Системы со сбоями в питании: Применяется в условиях, где часто происходят отключения питания, чтобы обеспечить сохранение данных.
  • Embedded-системы: Для устройств, работающих от батарей или с ограниченными возможностями по энергопотреблению.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: FRAM (Ferroelectric RAM)
  • Объем памяти: 4 Мбит
  • Организация памяти: 512К x 8
  • Интерфейс: SPI
  • Частота тактового сигнала: До 40 МГц
  • Напряжение питания: 2V ~ 3.6V
  • Температура эксплуатации: от -40°C до +85°C
  • Корпус: 8-DFN (5x6)

Возможные аналоги

  • MB85RS4MT от Fujitsu
  • FM25V10-G от Cypress
  • MR44V064B от Renesas

Примечание

Перед применением рекомендуется ознакомиться с технической документацией и провести испытания в конечном устройстве, чтобы обеспечить совместимость и оптимальные условия работы компонента.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК