CY15B104Q-LHXI

6 480,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

CY15B104Q-LHXI от Infineon

Общее описание

CY15B104Q-LHXI — это ферроэлектрическая RAM (FRAM) памяти разработки Infineon Technologies. Этот компонент представляет собой энергонезависимую память объемом 4 мегабита с последовательным интерфейсом SPI. Он обеспечивает высокую надежность и долговечность при сохранении данных даже в случае отключения питания.

Преимущества

  • Высокая скорость записи и чтения: Благодаря использованию технологии FRAM, CY15B104Q-LHXI предоставляет более быстрые операции записи и чтения, чем традиционные EEPROM и Flash памяти.
  • Высокая долговечность: Компонент обеспечивает более 10^14 циклов записи/стирания, что существенно больше по сравнению с большинством других типов энергонезависимой памяти.
  • Низкое энергопотребление: FRAM требует значительно меньше энергии для записи данных по сравнению с другими технологиями.
  • Надежное хранение данных: Данные остаются неизменными даже при отключении питания, что делает его идеальным для критически важных приложений.

Недостатки

  • Стоимость: FRAM устройства обычно дороже по сравнению с традиционной Flash памятью или EEPROM.

Типовое использование

CY15B104Q-LHXI широко используется в следующих областях:

  • Промышленная автоматика
  • Умные счетчики и датчики
  • Медицинское оборудование
  • Системы управления энергопотреблением
  • Программируемые логические контроллеры (PLC)
  • Автомобильная электроника

Рекомендации по применению

  • Печатная плата (PCB) и монтаж: Учитывайте требования к разводке питания и рабочих сред. Компонент выполнен в корпусе 8-DFN, который подходит для поверхностного монтажа (SMT).
  • Электрические ограничения: Соблюдайте напряжение питания в диапазоне от 2В до 3.6В, чтобы избежать повреждения компонента.
  • Температурный диапазон: Обеспечьте работу в допустимом температурном диапазоне от -40°C до 85°C.

Основные технические характеристики

  • Разрядность памяти: 4 Мбит (512К x 8)
  • Тип памяти: FRAM (Ferroelectric RAM)
  • Интерфейс: SPI
  • Частота работы: до 40 МГц
  • Напряжение питания: от 2 В до 3.6 В
  • Корпус: 8-DFN (5x6)
  • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)

Возможные аналоги

Хотя FRAM имеет уникальные преимущества, возможными альтернативами могут быть другие типы энергонезависимой памяти, такие как EEPROM или Flash, в зависимости от конкретных требований вашего проекта.

Скачать техническую документацию: [Datasheet CY15B104Q-LHXI (PDF)](https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-CY15B104Q-LHXI-Datasheet.pdf)

Для текущих цен и наличия посетите наш интернет-магазин.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК