CY15B102N-ZS60XE

9 600,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Общее описание

CY15B102N-ZS60XE - это энергонезависимая память типа FRAM (Ferroelectric RAM) емкостью 2 мегабита, произведенная компанией Infineon. Этот тип памяти сочетает в себе преимущества как SRAM, так и EEPROM, обеспечивая высокую скорость записи и долговечность данных, а также потребление низкого уровня энергии.

Преимущества

  • Высокая скорость записи: FRAM способна записывать данные быстрее, чем EEPROM и Flash память, обеспечивая быстрый доступ к данным.
  • Длительный срок службы: FRAM поддерживает до триллионов циклов записи/стирания, что значительно превышает долговечность других типов энергонезависимой памяти.
  • Низкое энергопотребление: Потребляет меньше энергии, что делает его идеальным для устройств с батарейным питанием.
  • Высокая надежность: FRAM устойчива к радиации и магнитным полям, что делает её подходящей для применения в экстремальных условиях.

Недостатки

  • Стоимость: Стоимость FRAM может быть выше по сравнению с другими типами энергонезависимой памяти.
  • Емкость: Хотя FRAM обеспечивает быструю запись и долговечность, возможная емкость модуля ограничена по сравнению с Flash памятью.

Типовое использование

  • Индустриальная автоматизация: Используется для хранения конфигурационных данных и журнала событий.
  • Медицинское оборудование: Надежное хранение данных пациента и журнала процедур.
  • Потребительская электроника: Хранение конфигурационных данных и пользовательских настроек.
  • Энергетика: Применяется для хранения данных в счетчиках, регистрация потребления и событий.

Рекомендации по применению

  • Убедитесь, что напряжение питания находится в пределах 2.0V - 3.6V для оптимальной работы.
  • Учитывайте скорость доступа 60 нс при проектировании системы для обеспечения быстрого доступа к данным.
  • Внимательно устанавливайте компоненты в соответствии со спецификациями при поверхностном монтаже.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: FRAM
  • Объем памяти: 2 Мбит (256К x 8)
  • Интерфейс: Параллельный
  • Скорость доступа: 60 нс
  • Напряжение питания: 2.0V - 3.6V
  • Рабочая температура: от -40°C до 85°C
  • Корпус: 44-TSOP II

Возможные аналоги

  • MB85RS2MTA-G-WINHE: FRAM емкостью 2 Мбит от Fujitsu.
  • FM25V20-G: энергонезависимая 2 Мбит FRAM от Cypress.

Заключение

CY15B102N-ZS60XE от Infineon представляет собой высоконадежное и быстрое решение для энергонезависимого хранения данных, подходящее для широкого спектра применений в потребительской и промышленной электронике, а также медицинских и энергетических устройствах.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК