CY15B101N-ZS60XA

CY15B101N-ZS60XA от Infineon

Общее описание

CY15B101N-ZS60XA — это интегральная схема FRAM (Ferroelectric RAM) памяти от Infineon Technologies с объемом памяти 1 Мбит. Этот тип памяти совмещает в себе лучшие черты DRAM и SRAM — быстрый доступ к данным и энергонезависимость. FRAM с ее высокой скоростью записи и низким энергопотреблением подходит для различных приложений, включая промышленных контроллеров, приборов учета и медицинского оборудования.

Преимущества

• Энергонезависимость: Сохраняет данные даже при отключении питания.
• Высокая скорость записи: Значительно быстрее по сравнению с традиционной флэш-памятью.
• Высокая надежность и долговечность: Поддерживает большое количество циклов чтения/записи.
• Низкое энергопотребление: Идеально подходит для батарейных приложений.

Недостатки

• Ограниченный объем памяти: Имеет емкость 1 Мбит, что может быть недостаточно для некоторых приложений.
• Относительно высокая стоимость: Стоимость FRAM может быть выше по сравнению с другими типами памяти с аналогичным объемом.

Типовое использование

• Промышленные контроллеры и датчики
• Системы сбора и хранения данных
• Медицинское оборудование
• Приборы учета и интеллектуальные счётчики
• Автоматизация производства

Рекомендации по применению

Для достижения наилучших результатов при использовании CY15B101N-ZS60XA рекомендуется обеспечивать стабильное питание и избегать сильных электромагнитных помех. Кроме того, следует учитывать требования по временам доступа и задержки во время проектирования схемы.

Основные технические характеристики

• Объем памяти: 1 Мбит (128 K x 8)
• Тип памяти: FRAM (Ferroelectric RAM)
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Время доступа: 60 нс
• Время записи: 60 нс
• Напряжение питания: 2.7 В ~ 3.6 В
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
• Корпус: 44-TSOP (10.16 мм шириной)
• Энергопотребление (рабочее): 20 мА (макс.)
• Энергопотребление (выключенное): 8 µA (макс.)

Возможные аналоги

• FM24V10-G от Cypress Semiconductor: имеет схожие характеристики и также использует FRAM технологию.
• MB85RC1MT от Fujitsu: FRAM память с объёмом 1 Мбит, но использует I²C интерфейс.
• MR25H10 от Everspin: MRAM память с объёмом 1 Мбит.

Этот компонент подходит для широкого спектра приложений, где требуются высокая скорость доступа к данным, энергонезависимость и низкое энергопотребление.