CY14V116N-BZ30XI

Общее описание

CY14V116N-BZ30XI - это энергонезависимая память типа NVSRAM (Non-Volatile SRAM) объемом 16Мбит, произведенная компанией Infineon Technologies. Она сочетает в себе преимущества оперативной памяти (SRAM) и энергонезависимой памяти (NVRAM), обеспечивая быстрый доступ к данным и их сохранность при отключении питания.

Преимущества

• Быстрая запись и чтение: Время доступа составляет 30 нс, что обеспечивает высокую скорость операций.
• Надежность: Данные сохраняются даже в случае отключения питания.
• Широкий диапазон температур: Рабочий температурный диапазон от -40°C до 85°C.
• Широкий диапазон напряжений питания: 1.7V ~ 3.6V позволяют использовать компонент в различных устройствах и условиях.

Недостатки

• Стоимость: NVSRAM памяти с большими объемами, как правило, дороже по сравнению с простыми SRAM.
• Потребление энергии: Хотя NVSRAM потребляет меньше энергии, чем DRAM, оно обычно потребляет больше по сравнению с Flash памятью.

Типовое использование

• Промышленные приложения: Из-за своей надежности и способности сохранять данные при отказе питания.
• Медицинские приборы: Для сохранения критической информации.
• Системы автоматизации: Для хранения конфигурационных данных и логов.
• Телекоммуникационное оборудование: Там, где высока важность сохранения данных.

Рекомендации по применению

• Защита данных: Используйте CY14V116N-BZ30XI в критически важных приложениях, где необходимо быстрое восстановление данных после сбоев питания.
• Оптимизация энергопотребления: При проектировании систем учтите, что компонент поддерживает широкий диапазон напряжений питающего источника, что позволяет добиться экономии энергии.
• Температурные условия: Учитывайте рабочий температурный диапазон при проектировании устройств для работы в экстремальных температурных условиях.

Основные технические характеристики

• Технология: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Объем памяти: 16Mbit
• Организация памяти: 1M x 16
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Время записи-чтения: 30 нс
• Время доступа: 30 нс
• Напряжение питания: 1.7V ~ 3.6V
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C (TA)
• Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMT)
• Корпус/размер: 165-LBGA, размер корпуса 15x17 мм

Возможные аналоги

• Cypress CY14V116N-ZS25XI: Аналогичная NVSRAM память объемом 16Mbit с немного лучшими временными характеристиками.
• STMicroelectronics M48T201V: Энергонезависимая SRAM с другим набором характеристик и интерфейсов, подходящая для альтернативных применений.

С использованием этого компонента вы можете улучшить производительность и надежность ваших устройств, обеспечив сохранность данных даже при непредвиденных сбоях питания.