CY14V104LA-BA45XI

CY14V104LA-BA45XI от Infineon

Общее описание

CY14V104LA-BA45XI от Infineon — это NVSRAM (Non-Volatile SRAM) — энергонезависимая статическая оперативная память с возможностью быстрого доступа и сохранения данных при отключении питания. Этот микросхемный модуль обладает емкостью 4 Мбит и организацией памяти 512K x 8 бит. Основное приложение CY14V104LA-BA45XI — это системы, требующие высокой надежности и скорости записи/чтения, а также способности сохранять данные в случае отключения электропитания.

Преимущества

• Высокая скорость доступа: Время доступа и записи составляет всего 45 наносекунд, что обеспечивает высокую производительность.
• Энергонезависимость: Данные сохраняются при отключении питания, что повышает надежность и целостность данных.
• Широкий диапазон напряжения питания: Работает в диапазоне 2.7В ~ 3.6В, что позволяет использовать устройство в различных проектах и сферах.
• Компактный корпус: Поставляется в корпусе 48-FBGA (6x10), что обеспечивает компактность и удобство в использовании в интегральных схемах.

Недостатки

• Стоимость: NVSRAM как технология может быть дороже, чем традиционная SRAM или EEPROM.
• Температурный диапазон: Хотя -40°C ~ 85°C достаточно для большинства применений, возможно, это не покрывает все возможные экстремальные условия.

Типовое использование

• Промышленные системы автоматизации, где требуется высокая надежность данных.
• Системы управления и мониторинга, требующие быстрого доступа к памяти.
• Чувствительные к отключению электроники, где данные должны сохраняться при потере питания.
• Автоматизированные системы тестирования и измерительных приборов.

Рекомендации по применению

• Разработка схемы питания: Убедитесь, что источник питания способен стабильно обеспечивать напряжение в диапазоне 2.7В ~ 3.6В.
• Компактная компоновка: Используйте функции компактного 48-FBGA корпуса, чтобы максимально эффективно использовать площадь печатной платы.
• Обеспечение правильного охлаждения: В случае размещения в пространственно ограниченных или нагреваемых средах, убедитесь, что охлаждение достаточно для поддержания температурного режима.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: NVSRAM
• Емкость памяти: 4 Мбит
• Организация памяти: 512K x 8
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Время записи/чтения: 45 нс
• Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
• Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
• Корпус: 48-FBGA (6x10)

Возможные аналоги

• CY14B101K-SZ45XIT от Cypress Semiconductor: 1 Мбит NVSRAM с подобными характеристиками.
• FM24C256-G от Ramtron: 256-Кбит F-RAM память с быстрой записи/чтения.

Этот модуль памяти обеспечивает высокую скорость, надежность и энергонезависимость, что делает его отличным выбором для широкого спектра приложений в области промышленной автоматизации, управления и мониторинга.