CY14V101LA-BA25XI

5 280,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

CY14V101LA-BA25XI от Infineon

Общее описание

CY14V101LA-BA25XI — это NVSRAM (Non-Volatile SRAM) микросхема памяти объемом 1 Мбит (128К x 8). Данный компонент обеспечивает высокую скорость записи и считывания данных при напряжении питания от 2.7В до 3.6В. Память сохраняет данные даже при отключении питания за счет встроенной энергонезависимой технологии.

Преимущества

  • Высокая скорость записи и считывания данных: Время записи на всех адресах составляет всего 25 нс, что обеспечивает быструю работу системы.
  • Энергонезависимость: Данные сохраняются даже при отключении питания, что гарантирует безопасность и надежность хранения информации.
  • Широкий температурный диапазон: Работоспособность в диапазоне температур от -40°C до +85°C, что позволяет применять компонент в различных условиях.

Недостатки

  • Больший размер по сравнению с флеш памятью: Хотя NVSRAM обладает высокой скоростью и надежностью, ее размеры могут быть несколько больше по сравнению с другими типами энергонезависимой памяти.
  • Меньшая плотность хранения: Размеры хранимых данных в NVSRAM, как правило, меньше по сравнению с NAND или NOR флеш-памятью.

Типовое использование

  • Промышленные системы управления: Для хранения данных о состоянии систем и параметров настройки.
  • Медицинское оборудование: Для обеспечения надежности и сохранности данных пациента при сбоях питания.
  • Автомобильные системы: Для сохранения настроек и данных управления.

Рекомендации по применению

  • Учитывайте температурные и монтажные требования при проектировании печатной платы.
  • Обеспечьте стабильное питание в пределах 2.7В – 3.6В для корректной работы.
  • Используйте защитные элементы от электростатических разрядов (ESD) при монтаже и настройке.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Объем памяти: 1 Мбит (128К x 8)
  • Интерфейс: Параллельный
  • Время записи: 25 ns
  • Время доступа: 25 ns
  • Напряжение питания: 2.7В – 3.6В
  • Рабочая температура: -40°C до +85°C (TA)
  • Корпус/Пакет: 48-FBGA (6x10)

Возможные аналоги

  • FM16W08 от Ramtron — 1 Мбит FeRAM с параллельным интерфейсом.
  • X5043 от Xicor — бульо-тонкоплёночная EEPROM с часовым модулем.

Используйте этот компонент для тех областей, где важны высокая скорость и надежность хранения данных, а также для обеспечения сохранности информации при отключении питания.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК