CY14U256LA-BA35XI

5 760,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

CY14U256LA-BA35XI - Non-Volatile SRAM от Infineon

Общее описание

CY14U256LA-BA35XI - это высокопроизводительная 256Кбит NVSRAM (Non-Volatile Static Random Access Memory) микросхема от компании Infineon. NVSRAM сочетает в себе высокоскоростную SRAM и энергонезависимую память, позволяя сохранять данные даже при отключении питания. Этот компонент использует интерфейс параллельного типа и имеет форму корпуса 48-FBGA (6x10).

Преимущества

  • Высокая производительность: Быстрое чтение и запись данных с временем доступа всего 35 нс.
  • Надежность данных: Благодаря энергонезависимой памяти, данные сохраняются при отключении питания.
  • Энергоэффективность: Широкий диапазон напряжения питания от 2.7 до 3.6 В.
  • Широкий температурный диапазон: Рабочая температура от -40°C до 85°C.

Недостатки

  • Стоимость: Возможно, несколько выше по сравнению с традиционными SRAM без энергонезависимых функций.
  • Объем памяти: 256Кбит может быть недостаточным для некоторых сложных применений.

Типовое использование

  • Критически важные системы: Идеален для систем, где необходима высокая надежность хранения данных, таких как медицинские приборы, промышленное оборудование и серверные системы.
  • Энергонезависимые приложения: Подходит для использования в устройствах, где сохранение данных при отключении питания критично, например, в системах аварийного резервного копирования.

Рекомендации по применению

  • Промышленные контроллеры: Применение в контроллерах для сохранения конфигураций и журнала событий.
  • Медицинское оборудование: Использование в медицинских приборах для обеспечения сохранения данных пациента.
  • Системы сотовой связи: Применение в базовых станциях и оборудованиях сотовой связи для хранения настроек и конфигураций сети.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Объем памяти: 256Кбит (32K x 8)
  • Интерфейс: Параллельный
  • Время записи/чтения: 35 нс
  • Напряжение питания: 2.7В ~ 3.6В
  • Рабочая температура: -40°C ~ 85°C
  • Корпус: 48-FBGA (6x10)

Возможные аналоги

  • CY14B256LA-SZ35XI: NVSRAM аналогичного объема и характеристик, также от Infineon.
  • IS62WV2568BLL-55TLI: SRAM с аналогичными параметрами от другого производителя, но может не иметь энергонезависимых функций.
  • FM28V020-TG: Non-volatile Ferroelectric RAM (F-RAM) с аналогичным объемом памяти и параллельным интерфейсом.

Используйте CY14U256LA-BA35XI от Infineon, если требуется надежное и быстрое энергонезависимое хранение данных в критически важных системах.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК