CY14B116S-BZ35XI

CY14B116S-BZ35XI от Infineon

Описание

CY14B116S-BZ35XI - это NVSRAM (Non-Volatile Static RAM), сочетающий в себе высокую производительность и надежность статической оперативной памяти (SRAM) с флэш-памятью. Компонент обладает быстрым временем доступа и низким потреблением энергии, что делает его идеальным решением для различных приложений, требующих сохранения данных при отключении питания.

Преимущества

• Высокая скорость: Время доступа составляет всего 35 наносекунд, что позволяет быстро записывать и считывать данные.
• Энергонезависимость: За счет интеграции с флэш-памятью данные сохраняются даже при отсутствии питания.
• Низкое потребление энергии: Подходит для различных портативных устройств.
• Широкий диапазон рабочих температур: От -40°C до +85°C, что делает его пригодным для использования в экстремальных условиях.

Недостатки

• Относительно высокая стоимость по сравнению с традиционными SRAM и DRAM решениями.
• Сложность интеграции: Требует более тщательного проектирования схем для обеспечения корректного функционирования.

Типовое использование

• Промышленные и медицинские приборы: Устройства, которые требуют сохранения данных при неожиданных отключениях питания.
• Бортовая электроника: Системы управления авиационными и автомобильными системами.
• Автоматизация и контроль: Память для контроллеров, систем автоматизации и мониторинга процессов.

Рекомендации по применению

• Перед использованием компонента убедитесь в соответствии рабочих напряжений.
• Разработайте схемы защиты от перенапряжения для предотвращения повреждения устройства.
• Обеспечьте надлежащие условия хранения и эксплуатации для достижения максимального срока службы.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Объем памяти: 16 Мбит
• Организация памяти: 512K x 32
• Интерфейс: Параллельный
• Время доступа: 35 нс
• Напряжение питания: от 2.7 В до 3.6 В
• Диапазон рабочих температур: от -40°C до +85°C
• Корпус: 165-LBGA (15x17 mm)

Возможные аналоги

• FM18W08-SG от Cypress Semiconductor: 4Mbit параллельный FRAM.
• IS61WV51216BLL-10TLI от ISSI: 8Mbit параллельная SRAM с низкой задержкой доступа.
• MS2000 от Simtek: NVSRAM с меньшим объемом памяти и аналогичными характеристиками.

Используя данный компонент, вы можете существенно улучшить производительность и надежность своих устройств, уменьшая при этом энергопотребление и повышая устойчивость к сбоям питания.