CY14B116S-BZ25XIT

CY14B116S-BZ25XIT от Infineon

Общее описание

CY14B116S-BZ25XIT — это энергонезависимая статическая оперативная память (NVSRAM) от компании Infineon. Этот компонент объединяет высокоскоростную SRAM и энергонезависимую память, обеспечивая надежное хранение данных при отключении питания. Память имеет объем 16 Мбит и организована по схеме 512K x 32 бит.

Преимущества

• Высокая скорость работы: Время доступа составляет всего 25 нс, что подходит для большинства высокопроизводительных приложений.
• Надежность хранения данных: Объединение SRAM и энергонезависимой памяти гарантирует сохранность данных при сбоях питания.
• Широкий диапазон напряжения питания: 2.7 В до 3.6 В.
• Расширенный температурный диапазон: от -40°C до +85°C, что делает данный компонент подходящим для использования в различных условиях, включая промышленную среду.

Недостатки

• Размер упаковки: Использование корпуса 165-FBGA может усложнить монтаж и требования к плате.
• Стоимость: NVSRAM компоненты могут быть дороже по сравнению с традиционной SRAM или другой энергонезависимой памятью.

Типовое использование

• Системы с критически важными данными: Промышленное оборудование, медицинские приборы, системы управления процессами, где сохранение данных является критически важным.
• Встроенные системы: Проекты, требующие сохранения конфигурационных и данных состояния при отключении питания.
• Высокопроизводительные системы: Применения, где требуется высокая скорость чтения/записи данных.

Рекомендации по применению

• Корректное управление электропитанием: Следует обеспечить стабильное напряжение питания в рекомендуемом диапазоне и правильное подключение цепей питания.
• Соответствие температурным условиям: Используйте компонент в пределах рабочих температур для предотвращения выхода из строя.
• Правильное проектирование печатной платы: Обеспечьте правильное распределение тепла, а также прецизионное монтажное оборудование для управления сборкой корпуса 165-FBGA.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• Объем памяти: 16 Мбит (512K x 32 бит)
• Интерфейс памяти: Параллельный
• Время доступа: 25 нс
• Напряжение питания: 2.7 В ~ 3.6 В
• Рабочая температура: -40°C ~ +85°C (TA)
• Корпус/Упаковка: 165-FBGA (15x17 мм)

Возможные аналоги

• CY14B116L-SZ25XI: Аналог от того же производителя, с несколько другими характеристиками.
• IS62WV51216BLL-55TL: Статическая оперативная память (SRAM) с аналогичным объемом памяти, но без энергонезависимости.
• FM28V020-SG: Энергонезависимая FRAM с меньшим объемом памяти и аналогичным временем доступа.

Использование CY14B116S-BZ25XIT гарантирует надежное и быстрое хранение данных, особенно в критически важных и промышленных системах.