CY14B116S-BZ25XI от Infineon

Общее описание

CY14B116S-BZ25XI – это энергонезависимая статическая оперативная память (NVSRAM), разработанная компанией Infineon. Она сочетает в себе высокопроизводительную SRAM и энергонезависимую память, что позволяет сохранить данные при потере питания. Объем памяти составляет 16 Мбит (512K x 32 бит) с параллельным интерфейсом и временем доступа 25 нс.

Преимущества

• Ненуказуемая энергозависимость: обеспечивает сохранение данных при отключении питания.
• Высокая быстродействие: время доступа всего 25 нс.
• Широкий диапазон рабочих температур: от -40°C до 85°C.

Недостатки

• Стоимость: энергонезависимая память может быть дороже по сравнению с обычной SRAM.
• Сложность интеграции: требуется особое внимание при проектировании схем для использования NVSRAM.

Типовое использование

• Системы сбора данных
• Промышленные контроллеры
• Медицинское оборудование
• Автомобильные системы

Рекомендации по применению

• Защита данных: используйте NVSRAM для критичных данных, где потеря информации недопустима при потере питания.
• Высокая производительность: подходящее решение для приложений, требующих быстрого времени доступа.
• Рабочие условия: учитывайте диапазон рабочих температур при проектировании.

Основные технические характеристики

• Тип памяти: NVSRAM (энергонезависимая статическая оперативная память)
• Объем памяти: 16 Мбит (512K x 32 бит)
• Интерфейс: Параллельный
• Время цикла записи: 25 нс
• Время доступа: 25 нс
• Напряжение питания: 2.7В ~ 3.6В
• Рабочий температурный диапазон: -40°C ~ 85°C
• Тип монтажа: Поверхностный монтаж
• Корпус: 165-FBGA (15x17 мм)

Возможные аналоги

• CY14B116L-ZS25XI от Infineon: также 16 Мбит NVSRAM, но с другим диапазоном напряжения питания.
• IS62WV25616BLL-55TLI от ISSI: 4 Мбит статическая оперативная память с параллельным интерфейсом.

Эти технические и функциональные характеристики делают CY14B116S-BZ25XI идеальным выбором для приложений, где важны сохранение данных и высокое быстродействие.