CY14B116N-ZSP45XI

10 560,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

CY14B116N-ZSP45XI - Infineon

Общее описание

CY14B116N-ZSP45XI от Infineon представляет собой энергонезависимое статическое ОЗУ (NVSRAM) объемом 16 Мбит, обеспечивающее высокопроизводительное и надежное хранение данных. NVSRAM сочетает в себе быстродействие SRAM с энергонезависимостью благодаря встроенной флэш-памяти. Компонент выполнен в корпусе TSOP II и предназначен для поверхностного монтажа.

Преимущества

  • Быстродействие: Время доступа составляет всего 45 нс, что делает этот компонент идеальным для высокоскоростных приложений.
  • Надежность: Энергонезависимая природа обеспечивает сохранение данных в условиях потери питания.
  • Удобство использования: Параллельный интерфейс позволяет легко интегрировать компонент в различные системы.

Недостатки

  • Стоимостной фактор: Из-за своей продвинутой технологии и надежности компонент может быть дороже по сравнению с другими типами памяти.
  • Энергопотребление: Питание от 2.7V до 3.6V может не подходить для всех проектов.

Типовое использование

  • Промышленное оборудование: Хранение критически важных данных и настроек.
  • Медицинские устройства: Обеспечение надежного хранения данных пациента и конфигураций.
  • Энергетика: Использование в системах учета данных и управления электроэнергией.
  • Автоматизация и робототехника: Накопление данных о состоянии системы и оперативное управление.

Рекомендации по применению

  • Температурный режим: Компонент предназначен для работы в широком диапазоне температур от -40°C до 85°C. Убедитесь в соблюдении этих условий для обеспечения оптимальной работы.
  • Стабилизация питания: Необходимо обеспечить стабильное питание в пределах 2.7V ~ 3.6V для корректной работы памяти.
  • Монтаж: Поскольку компонент предназначен для поверхностного монтажа, соблюдать осторожность при пайке, чтобы избежать повреждений.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: NVSRAM
  • Объем памяти: 16 Мбит (1M x 16)
  • Время доступа: 45 нс
  • Время записи: 45 нс
  • Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
  • Температура эксплуатации: -40°C ~ 85°C
  • Корпус: 54-TSOP II

Возможные аналоги

  • FM16W08 от Cypress: аналогичный NVSRAM с параллельным интерфейсом, объемом 16 Мбит и временем доступа 70 нс.
  • IS62WV25616BLL от ISSI: хотя это не NVSRAM, а обычное SRAM, оно может быть использовано в приложениях, где не требуется энергонезависимость.

Таким образом, CY14B116N-ZSP45XI является надежным и высокопроизводительным решением для задач, требующих энергонезависимого хранения данных.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК