CY14B116N-BZ25XI

6 480,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

CY14B116N-BZ25XI от Infineon

Общее описание

CY14B116N-BZ25XI - это энергонезависимая статическая оперативная память (NVSRAM) объемом 16 Мбит от производителя Infineon. Этот компонент объединяет в себе высокоскоростную SRAM и энергонезависимую память, что обеспечивает мгновенное и надежное сохранение данных. Память имеет параллельный интерфейс и поставляется в корпусе 165-FBGA.

Преимущества

  • Высокая скорость доступа: Время доступа составляет всего 25 нс, что делает память подходящей для высокоскоростных приложений.
  • Энергонезависимость: Обеспечивает сохранение данных в случае потери питания, что очень важно для критичных к сохранению данных систем.
  • Широкий диапазон рабочих температур: От -40°C до 85°C, что позволяет использовать компонент в различных промышленных и автомобильных приложениях.

Недостатки

  • Относительно высокая стоимость: NVSRAM обычно дороже по сравнению с обычной SRAM из-за своей энергонезависимой функции.
  • Ограниченные размеры упаковки: Трудность монтажа и применении для плат с ограниченным пространством.

Типовое использование

  • Системы реального времени, где критично сохранить данные при потере питания.
  • Промышленные контроллеры и системы автоматизации.
  • Бортовые системы для автомобилей и авиации.
  • Медицинское оборудование.
  • Системы безопасности и мониторинга.

Рекомендации по применению

  • Следует внимательно выбирать источники питания для обеспечения их стабильности, чтобы избежать потери данных.
  • Для минимизации воздействия электромагнитных помех рекомендуется использовать фильтры и экранировку.
  • Оптимально подходит для приложений, требующих быстрой и надежной памяти, где данные критически важны и должны сохраняться при отключении питания.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: NVSRAM
  • Объем памяти: 16 Мбит (1M x 16)
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Время доступа: 25 нс
  • Время записи: 25 нс
  • Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
  • Рабочая температура: от -40°C до 85°C (TA)
  • Корпус: 165-FBGA (15x17 мм)
  • Статус: Последние закупки

Возможные аналоги

  • CY14B101Q2-LHXIT: от Infineon, аналогичная NVSRAM память меньшего объема.
  • CY14B256Q2-LHXIM: от Infineon, аналогичная NVSRAM память с немного другим объемом памяти и характеристиками.
  • FM28V020-SG: от Cypress Semiconductor, другой производитель NVSRAM памяти.

Использование CY14B116N-BZ25XI поможет улучшить надежность систем, где данные критически важны, благодаря его высокому быстродействию и энергонезависимости.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК