CY14B116N-BA25XI

6 480,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

CY14B116N-BA25XI от Infineon

Общее описание

CY14B116N-BA25XI – это энергонезависимое статическое оперативное запоминающее устройство (NVSRAM) емкостью 16 Мбит (1М x 16) от Infineon Technologies. Данная микросхема сочетает в себе высокоскоростную статическую память (SRAM) с энергонезависимым хранением данных, что позволяет сохранять информацию даже при отсутствии питания.

Преимущества

  • Высокая скорость доступа: Время доступа всего 25 наносекунд.
  • Сохранение данных при выключении питания: Обеспечивается энергонезависимость данных благодаря встроенному механизму резервного копирования.
  • Широкий диапазон рабочих температур: От -40°C до 85°C, что позволяет использовать устройство в различных условиях эксплуатации.

Недостатки

  • Относительно высокая стоимость: По сравнению с традиционной SRAM и DRAM памятью.
  • Энергонезависимые схемы могут занимать больше пространства: Из-за необходимости интеграции механизмов резервного копирования.

Типовое использование

  • Промышленные системы управления: Для хранения критически важных данных и настроек.
  • Медицинское оборудование: Для обеспечения надежного хранения данных пациентов.
  • Автоматизированные системы: Включая робототехнику и системы безопасности.
  • Никогда не теряйте данные: Критически важно для приложений, где потеря данных недопустима.

Рекомендации по применению

  • Учесть энергоемкость: При проектировании системы необходима тщательная оценка потребления энергии для обеспечения питания NVSRAM.
  • Температурный режим: Следует учитывать рабочий температурный диапазон для обеспечения надежной работы устройства в условиях эксплуатации.
  • Совместимость с системной архитектурой: Обязательно проверить совместимость с остальными компонентами системы.

Основные технические характеристики

  • Тип памяти: NVSRAM (энергонезависимое SRAM)
  • Емкость памяти: 16 Мбит (1М x 16)
  • Интерфейс памяти: Параллельный
  • Время записи/чтения: 25 наносекунд
  • Напряжение питания: 2.7V ~ 3.6V
  • Рабочий температурный диапазон: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Корпус: 60-LFBGA (10x18)
  • Габариты: Компактный корпус для удобной интеграции на печатную плату

Возможные аналоги

  • CY14B101K-ZSP35XI: Алтернативный энергозависимый вариант с меньшей емкостью.
  • MR2A16AMYS35: Подобное устройство от NXP/Freescale.
  • 28F400B5B85: Микросхема флэш-памяти от Intel как альтернативное решение.

С помощью этих данных можно интегрировать CY14B116N-BA25XI в различные электронные системы, что обеспечит надежное хранение данных даже при потере основного питания.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК